[問題] 在PDMS上製作金電極

看板NEMS作者 (杰)時間10年前 (2014/06/29 22:23), 編輯推噓5(5推 0噓 20→)
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如題 小弟想要把厚度50nm寬度2um的金電極放到PDMS基板上 過去嘗試過的方法是用PMMA配合E beam lithography 在InP的基板上定義出Pattern 之後再用e-gun蒸鍍50nm的金在InP上lift off 之後再灌上10:1的PDMS 150度烤乾 再放到HCl裡面選擇蝕刻InP 可是蝕刻完以後的結果都很悲慘 很多金電極都脫落 過去做1um以下的金結構用同樣的製程方法都很成功,但是超過1um的pattern 就都很失敗 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 111.249.108.227 ※ 文章網址: http://www.ptt.cc/bbs/NEMS/M.1404051793.A.0BC.html
推
06/29 22:28, , 1F
可以先將金電極用lift off作在Si wafer上，再將
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06/29 22:29, , 2F
(3-Mercaptopropyl)trimethoxysilane改質在金電極上
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06/29 22:30, , 3F
最後灌上PDMS，固化後掀起，金電極就直接在PDMS上了
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06/29 22:45, , 4F
3MPT這個方法我有試過,不過一樣是用InP基板,結果失敗
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06/29 22:46, , 5F
多問個問題...如果說在Si上用PMMA做金lift-off...
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06/29 22:46, , 6F
會不會一灌ACE就造成整個PATTERN全部飄掉?
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06/29 23:01, , 7F
3MPT改質方法是直接泡一小時然後用酒精rinse跟吹乾?
06/29 23:01, 7F
推
06/29 23:01, , 8F
我記得這個方法的原文在 advanced materials上，並且有提
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06/29 23:03, , 9F
必須用顯影液過度顯影的方式去容掉光阻，不然pattern
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06/29 23:03, , 10F
確實會容易脫落
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06/29 23:04, , 11F
3MPT我是都用氣相改質
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06/29 23:06, , 12F
用液相的話有可能因為溶液吹乾時的動作造成pattern剝離
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06/29 23:13, , 13F
所以你的意思是說我鍍完金以後,不要直接泡ACE?
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06/29 23:14, , 14F
改用MIBK顯影液吃掉光阻一些,此時再泡ACE或是去光阻劑?
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06/29 23:16, , 15F
氣相改質是什麼儀器可以指點一下嗎?感謝
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推
06/29 23:24, , 16F
就把3MPT滴在小容器內跟試片一起放入真空皿內抽真空
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06/29 23:26, , 17F
大約30分鐘後，再把氣閥轉成維持真空的狀態約12hr再取出
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06/29 23:28, , 18F
用純的MPT還是有用其他有機液體稀釋?
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06/29 23:28, , 19F
反正就是利用過度顯影的方式去除光阻而不要用丙酮
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06/29 23:29, , 20F
純的3MPT
06/29 23:29, 20F
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06/29 23:31, , 21F
可是過度顯影到最後應該還是要用ACE撥除剩下的部分吧?
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06/29 23:32, , 22F
還是說真的是用顯影液泡到全部消失?
06/29 23:32, 22F
推
07/02 00:04, , 23F
我好奇問一下 這些做法 是不是 PDMS變形一下 金電極就斷了
07/02 00:04, 23F
推
07/02 00:04, , 24F
我學長有這樣的問題....
07/02 00:04, 24F
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07/15 23:49, , 25F
基本上我試過dry peel off 電極會有皺褶 但是有導通
07/15 23:49, 25F
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