[問題] 光阻去不完全
我最近在作黃光顯影的pattern
做完之後，鍍上金，要去光阻卻發現，光阻去不完全
不曉得是什麼原因，原本是用sputter鍍金
後來討論之後，才知道sputter的金鍍上去會太穩固
改用e-beam鍍金後，再做一次去光阻
結果用肉眼看，就明顯看到基板上的光阻沒去完
原本以為只是個小實驗，卻拖了這麼久
我現在想到的唯一問題是出在光阻，因為光阻到期時間是2009年
ps.光阻是EPG-512，顯影液EPD-1000
光阻厚度約1μm
預烤150度 45min
軟烤90度 30min
硬烤120度 30min
接觸式曝光機 70v 300w
uv照射時間4.8s
顯影時間 25s
鍍上10nm的金
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※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc)
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今天試過了一些方法
1)丙酮+超音破震盪機震了3小時→光阻未去除
2)丙酮加熱到45度C，維持45度C，手拿夾子夾樣品晃了30分鐘→光阻未去除
3)過氧化氫+硫酸，(用量調配4:1；3:1；2:1；1:1)→光阻未去除
沒試過將硫酸調高比例，因為我怕硫酸會腐蝕表面的金薄膜
4)最後微影後的硬烤時間縮短，目前正在試
(時間由原本的30min調整為25；20；15)
如果還是不行，我是不是要換一罐新的EPG-512了啊?!
因為已經過期兩年了
※ 編輯: melvyn 來自: 140.128.194.201 (05/05 20:03)
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嗯哼...那我重打一遍我的流程
首先，樣品先經過丙酮、IPA、DI洗滌 (樣品為不銹鋼與Silicon oxide)
預烤 150度C 45分鐘
上光阻(光阻型號：EPG-512)，利用旋轉塗佈機
旋轉塗佈機 設定STEP 1： 轉速 1000；秒數 5秒
STEP 2： 轉速 6000；秒數 40秒
接著，軟烤 90度C 30分鐘
開始曝光顯影，採用接觸式曝光機
曝光機 設定 70V；300W
曝光秒數：4.8秒
進行顯影，顯影液型號EPD-1000
顯影秒數：25秒
顯影完後，使用DI沖洗，DI沖洗時間：25秒
在進行最後硬烤 120度C 30分鐘
接著使用E-beam鍍金，電流：121mA
鍍金厚度為10nm
然後進行舉離，使用過的方法就如同上面修改文章後說的
※ 編輯: melvyn 來自: 220.131.64.35 (05/05 23:33)
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