[問題] Oxygen RIE 蝕刻光阻

看板NEMS作者 (女王萬歲)時間13年前 (2011/04/09 16:32), 編輯推噓4(4推 0噓 8→)
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請問在使用O2 RIE蝕刻擁有grating結構的光阻時 要如何選擇氣體流量(快慢)、工作壓力(高低)、蝕刻時間(長短) 才不會蝕刻完結構有明顯的改變? 我蝕刻的主要目的是要把凹進去的殘餘光阻吃掉 好讓silicon露出來 --- ---- ---- |--| |--| photoresist --------------- silicon wafer --------------- -- -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 175.181.131.101
推
04/09 20:59, , 1F
深寬比是多少呢?
04/09 20:59, 1F
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04/09 23:18, , 2F
有1:1和2:1(寬:深)的
04/09 23:18, 2F
推
04/10 01:07, , 3F
這樣的深寬比應該還好...不用像ICP作側壁保護~但也沒辦法就是
04/10 01:07, 3F
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04/10 01:08, , 4F
不能用曝光的方式顯掉不要的光阻嗎?用蝕刻的要用啥當遮罩呢?
04/10 01:08, 4F
推
04/10 02:02, , 5F
應該只是想有uv o3 那種效果把殘餘光阻清一清?
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04/10 12:18, , 6F
我那層光阻大概有200~300nm的厚度,我用20sccm,0.02mbar,
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04/10 12:19, , 7F
1~2min吃完後掃AFM凹進去的地方仍然不是平坦的wafer表面
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04/10 12:25, , 8F
有人有更好的蝕刻參數可以提供給我測試嗎?
04/10 12:25, 8F
推
04/11 04:21, , 9F
看樣子是壓印吧，關於壓印清光阻的相關文獻多到不能再
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04/11 04:21, , 10F
多，你可以參考一下
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04/11 10:04, , 11F
有參考過但是文獻提到的RIE參數似乎不太適用..都吃不乾淨
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04/11 10:07, , 12F
沒錯,我的結構是壓印得到的但是殘餘光阻厚度我沒法估計
04/11 10:07, 12F
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文章代碼(AID): #1De1cta- (NEMS)
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