Re: [新聞] Galaxy Note 6效能無敵了?連記憶體都要比別人強 30%!

看板MobileComm作者 (samia)時間9年前 (2016/05/23 18:22), 9年前編輯推噓3(303)
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※ 引述《Rigaudon (支持htc,支持台灣貨)》之銘言: : → DiChik : 光聽到10nm就知道在唬爛啊 哪來的? 05/23 17:47 Samsung unveils its 10nm 6GB LPDDR4 DRAM that will be present in future mobile devices http://goo.gl/UFKu4M 5/19在深圳公開發表開始量產的 http://i.imgur.com/HwdhqLZ.jpg
不過我覺得這不是重點, 重點是很多人常常會把不同的產品製程拿來混在一起講 我們稱這是28nm,20nm的製程,這些數字 對邏輯產品而言, 指的是電路佈局上的閘極寬度(gate length) 對DRAM產品而言, 指的是二分之一的pitch (spacing + width) 對Flash產品而言,指的是相鄰兩個浮動閘極(floating gate)的距離 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 111.83.94.106 ※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/MobileComm/M.1463998920.A.560.html ※ 編輯: Lsamia (111.83.94.106), 05/23/2016 18:22:26

05/23 18:23, , 1F
https://goo.gl/gzgk45 後面那段是這裡來的嗎?XD
05/23 18:23, 1F

05/23 18:51, , 2F
寫一下 references齁 既然整段搬過來惹
05/23 18:51, 2F

05/23 18:53, , 3F
感謝告知 @@
05/23 18:53, 3F

05/23 19:08, , 4F
<20nm是滿期待的,但是LPDDR4X比較有機會
05/23 19:08, 4F

05/24 00:14, , 5F
感謝支持
05/24 00:14, 5F

05/24 00:53, , 6F
還10nm勒 加油好嗎
05/24 00:53, 6F
文章代碼(AID): #1NGjd8LW (MobileComm)
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