Re: [情報] 什麼?!傳高通S820晶片可能由三星代工已回收
※ 引述《ShangLai (Shang)》之銘言:
: 這邊提供幾個夢到的消息:
: 首先,台積電與高通已經鬧翻了,主因還是在價錢。台積電因為有了蘋果做後盾,
: 不願再任高通予取予求,所以高通憤而轉向三星14nm,所以S820由三星代工是確定的。
: 第二,蘋果promise給台積電的量非常大,所以台積電才敢與高通鬧翻。
: 之前聽到的韓媒說法, 聽聽就好.
: 第三,20nm的後段製程與16nm的後段幾乎一樣,兩者幾乎相同。
: 邏輯製程的良率取決於後段製程,所以等到16nm量產,其良率很快可以ramp up到
: 20nm的水準.....
1. 20nm的製程本來就比較耗電,發熱量比較高.
S810就是用 TSMC 20nm, 原本就先天不足,
然後高通big.LITTLE學費還沒繳夠,所以後天不良.
造成現在Qualcomm Snapdragon 810被電的體無完膚的慘狀.
製程上的缺點當然可以透過架構來修補,
所以蘋果A8雖然用了比較差的20nm製程,
還是沒有明顯過熱/耗電過大的現象.
但是有些產品的特性是後天都救不了的,
Nvidia就絕對不會出20nm 製程GPU.
當初就已經說會直接28nm => 14/16nm.
2. TSMC 20nm BEOL 跟 16nm BEOL基本上都是一樣的,
pitch 80 + LELE double pattern.
20nm FEOL 跟 28nm FEOL基本上差不多, HKMG,
問題是Planar Device在20nm就是漏電流問題難以解決,
所以才會比較耗電,發熱量高.
16nm FEOL 先有 16FF => 16FF+ => 16FFC (in developing)
16FF輸給 Samsung 14LPE, 16FF+就補回來,
但是三星也還是會有新一代的FF,
所以這裡的勝負還在拉鋸中.
三星最近主攻FD-SOI,這個會對28nm device有重大改進,
https://www.semiwiki.com/forum/content/4264-fd-soi-samsung.html
如果成功有可能會對TSMC 28nm有衝擊.
但是到目前為止, TSMC 跟 Samsung的 14/16nm製程
本質上都差不多,沒有啥麼重大的差異.
TSMC 16nm對上 Samsung 14nm的優勢,
主要建立於TSMC 16nm BEOL已經磨得很亮,
所以良率的提升會比28nm => 20nm快.
3. 到了10nm, TSMC跟三星就可能走上不同道路了.
https://www.semiwiki.com/forum/content/4510-tsmc-processes-galore.html
TSMC BEOL 會走 SADP/SIT, 這製造成本會比LELE DP低,
良率也會比較高,但是設計規範會囉嗦很多,所以有好有壞.
SADP原本主要用於規律性的設計, (如DRAM/SRAM),
這個一看就知道是三星的當家技術. (也就是說三星在這方面也非常強).
三星的10nm目前公開的訊息不多,
所以能講的就不多,
雖然在2月已經有公開的10nm demo chip來展現技術.
以目前的資料看(可能還會有變化),
10nm TSMC 底層金屬比較密,但是電晶體大不少.算起來
密度差不多,但是三星略勝. 3072 vs 3220, 越小越好.
但是都輸Intel輸很大. 性能方面無分析資料.
https://www.semiwiki.com/forum/content/3884-who-will-lead-10nm.html
Density Comparisons
130nm 90nm 65nm 45/40nm 32/28nm 22/20nm 16/14nm 10nm
Intel 111,650 57,200 46,200 38,800 12,656 8,100 3,640 2,101
TSMC 105,400 57,600 28,800 20,736 11,590 5,829 5,760 3,220
GF/S 122,500 60,025 36,000 15,093 8,640 4,090 4,992 3,072
4. 綜合以上,回到MobileComm主題,
可以預言Apple A9/A9X 跟A8比,無論在功耗/效能上
都將會有明顯的進步.
S820 如果Qualcomm架構上有學到教訓,也會比S810好很多.
但是目前就只能看Exynos 7420獨霸一陣子.
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※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/MobileComm/M.1429670996.A.22D.html
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看你怎麼看.
這樣的說法主要是跟Intel FinFet製程比較.
但是14/16nm 三星跟台積真的差不多.
要是三星的14nm是偽14nm,那台積電的16nm也是偽16nm.
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目前看是 INTC > (GG, ***); GG <=> *** 還無法確定.
良率 GG > ***.
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要更加油,三星不是吃素的.
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三星已經展示他們也有不輸高通的技術力了.
事實上S6的Modem也不是用高通而是用自家的Shannon 333.
http://www.ubergizmo.com/2015/04/galaxy-s6-samsung-modem/
然後三星其實算是高通最大客戶,
也就是說, 高通還有啥麼籌碼嗎?
如果高通繼續在TSMC下單,然後三星不爽買單....
就算TSMC良率高,最後單位成本比較便宜,
可是TMSC要賺,高通也要賺,這樣會比三星自己搞便宜?
有很多事情可能都已經是身不由己了.
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Intel跟Altera的交易不是告吹?
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現在已經很難抄了. 只有明顯落後者才有抄的權力.
現在大家差距不是那麼大時,要抄別人代表已經輸很大了.
所以10nm TSMC跟三星製程上的差異很明顯比14/16nm要大很多.
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我不做這個預測.
但是三星一定會起來, TSMC一定沒有前幾年那麼好賺.
這不代表TSMC會變差,只是會比較沒有爆發力.
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這個我有些沒講清楚. 是最底層的幾層金屬,
採用LELE DP Pitch 64.往上寬一點的金屬導線用非DP的Pitch 80.
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可是根據一些最新的資訊, FDSOI的device製造成本比HKMG便宜,
這可以補回SOI比Bulk成本高的問題,然後Device特性又完爆HKMG.
所以價格差不多或是貴一些些,但是耗電低,速度高,工作電壓又低....
TSMC未來28還分28HPC+ (高速)跟 28ULP (低功耗)特化製程,
FD-SOI一個就包辦了.
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EUV 10nm應該還是不會有人用的, 7nm再看看吧.
至於Intel有可能連 7nm都不用 EUV也說不定.
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這個很明顯的是TSMC過度吹噓.
根據你的圖表,是14/16nm TSMC小輸,10nm追平Intel.
但是目前顯現出來的是
GP * M1P Intel TSMC Samsung
14/16nm 3640 5760 4992
10nm 2101 3220 3072
TSMC Area Scaling 連三星都還贏不了,更不用說 Intel.
事實上, TSMC 10nm 的 Area Scaling只勉強的贏過 Intel 14nm.
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※ 編輯: VirgilAeneid (70.35.59.50), 04/23/2015 06:10:30
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