Re: [閒聊] 懂類石墨的材料請進 @胡椒饗宴
※ 引述《qxxrbull (qxxrbull)》之銘言：
: ※ 引述《qxxrbull (qxxrbull)》之銘言：
: : http://www.ptt.cc/bbs/Electronics/M.1551941542.A.7DF.html
: : 這篇我中午發到現在還沒有人幫我解答QQ
: : 到底該用反卷積還是FWHM畫出來下面那兩條
: : 再來用微積分算面積求比值啊
: : 網路上兩種方法都有人說，但出來的結果差很多
: : -----
: : Sent from JPTT on my HTC EXODUS 1.
: 後來我發現
: 不同的論文有不同的求法
: 有人用峰強度
: https://goo.gl/6QgnnC
: 這篇Nature Chemistry的
: Fabrication of carbon nanorods and graphene nanoribbons from a metal-organic
: framework
: 有人用峰FWHM面積比值
: https://goo.gl/c7xA79
: 這篇Advanced Energy Materials的
: Enabling the electrocatalytic fixation of N2 to NH3 by C-doped TiO2
: nanoparticles under ambient conditions
: 都是IF 25以上的頂尖期刊
: 看起來是兩種方法都可以 算出來的數值也不會差太多
: 不過單純用intensity做比較簡單很多 不用搞一堆峰分析
幹
好像還是有差耶
圖4-14分別代表初成長之碳奈米管及經過640°C磁性退火後處理的碳奈米管拉曼比較圖，
在此分別以高度和面積來計算IG/ID的比值：以高度來計算IG/ID的比值，初成長之碳奈米
管可見到在1337 cm-1的sp3強度為2716 ( a.u.) ，1595 cm-1的sp2強度為2546 (a.u.)，
IG/ID比值為0.93；若以面積來計算IG/ID比值為0.78。sp3的訊號於此為缺陷或是非晶質
碳，而此實驗中缺陷比較高，這是離子轟擊效應所造成的(ion bombardment effect) ，
因為ECR-CVD具有低的工作壓力，所以CH4解離的離子會有較長的平均自由路徑(mean
free path)，因此具有高的動能，其高速的陽離子再經由-150V的偏壓加速去撞擊成長的
碳奈米管，導致晶格扭曲，使C軸石墨堆疊成無序的排列；碳奈米管經過640°C真空磁性
退火的拉曼頻譜圖，以高度來計算IG/ID的比值，56 在1341 cm-1的sp3強度為2540
( a.u.)，1595 cm-1的sp2強度為2504 (a.u.) ，其IG/ID比值為0.96；若以面積來計算
IG/ID比值為0.89。從IG/ID比值增加得知，碳奈米管經過640 °C真空磁性退火，會使非
晶質碳或缺陷會減少
REF:https://ir.nctu.edu.tw/bitstream/11536/50724/8/850308.pdf
這篇113的直接寫用intensity和用面積算出的IG/ID不同
0.93 0.78 差不少耶
幹 到底是哪個才正確的?
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推
03/28 18:03,
6年前
, 1F
03/28 18:03, 1F
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