[討論] 端子鍍金屬聲音的差異

看板Headphone作者 (Jimmy)時間1年前 (2022/08/22 21:10), 1年前編輯推噓9(9推 0噓 33→)
留言42則, 9人參與, 1年前最新討論串1/1
As title 我想這應該是被討論到爛掉了，但最近突然想到一個觀點應該如何選用鍍金屬的選擇。 以下個人觀點，且是以微觀約一個單位晶胞至一個微米的尺度，不考慮界面的狀況，並假設公母頭至導體為連續面。 以下正文 先附個每個金屬的work function Ag~4.3 Au~5.1 Cu~4.7 Rh~5.0 狀況1:先舉例以銅公母頭搭上銅線，因為work function 都一樣，所以並不太會有能量的損失。 狀況2:接下來以金做公母頭搭銅線，將會在公的地方產生能量損失，而母頭的地方反而會電流會流的更順。 狀況3:若以金做為公母頭搭銀線，則在公母頭則會產生能量損失。 狀況4:那最理想的狀況應該是搭銀公頭，配銅線，最後搭金母頭。這樣電流就會以溜滑梯的形式經過。 大家都說過銀線有助於高頻而低頻會收斂，因此我瞎掰了一個電化學的假設。 做AC impedance實驗時，是以高頻區掃描至低頻區（100k~0.1hz），因此狀況3的線掃描至低頻區時，會有電荷累積至母頭，因導線與公母頭的work function不匹配，進而產生熱與聲子，導致低頻能量損失。 這樣或許我們可以解釋說為何銀線會改善高頻的問題，而低頻會減少的原因了。 因此用銀公母頭，配銀線可能是最佳解？可以直接改善全頻，或是音場之類的@@？ 以上是小弟異想天開。 謝謝大家 註：AC impedance 的概念很複雜，這邊我只是隨便套一個有頻率的實驗。 ----- Sent from JPTT on my iPhone -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 101.10.44.168 (臺灣) ※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Headphone/M.1661173841.A.3BC.html
→
08/22 21:13, 1年前 , 1F
手機排版怪怪的大家見諒
08/22 21:13, 1F
推
08/22 21:20, 1年前 , 2F
推 不過室溫要擔心這個嗎
08/22 21:20, 2F
→
08/22 21:23, 1年前 , 3F
回樓上，以微觀的角度來看，兩個不同的相一定會有能量差異
08/22 21:23, 3F
→
08/22 21:23, 1年前 , 4F
，因此室溫其實不是影響能量損失的主因。而是要看導體是否
08/22 21:23, 4F
→
08/22 21:23, 1年前 , 5F
連續
08/22 21:23, 5F
推
08/22 21:51, 1年前 , 6F
有意思推
08/22 21:51, 6F
→
08/22 21:51, 1年前 , 7F
最貴的線材好像都是金銀配?
08/22 21:51, 7F
推
08/22 21:53, 1年前 , 8F
有點好奇這邊是在討論類比訊號線（20kHz以下）、數
08/22 21:53, 8F
→
08/22 21:53, 1年前 , 9F
位訊號線(可能有點高頻）還是電源線（60Hz)
08/22 21:53, 9F
推
08/22 22:17, 1年前 , 10F
推，最近剛好要換公母頭可試試
08/22 22:17, 10F
→
08/22 22:26, 1年前 , 11F
與其在那邊當民科作夢去買台頻譜分析儀跟阻抗分析儀
08/22 22:26, 11F
→
08/22 22:27, 1年前 , 12F
做實驗量看看啊zzz
08/22 22:27, 12F
[1;31m→ Garrys: 有理論學家也有實驗學家 08/22 22:43
→
08/23 00:10, 1年前 , 13F
回11樓，儀器我能借的到啊，你可以借我線材：）
08/23 00:10, 13F
→
, , 14F
我用的EIS是autolab302N 不知到符不符合您的需求：）
08/23 00:10 ※ 編輯: wyred (140.112.71.166 臺灣), 08/23/2022 00:20:57 ※ 編輯: wyred (140.112.71.166 臺灣), 08/23/2022 00:21:33 ※ 編輯: wyred (140.112.71.166 臺灣), 08/23/2022 00:22:48
推
08/23 00:22, 1年前 , 15F
但實務上還有硬度-耐磨、惰性-氧化的問題在
08/23 00:22, 15F
→
08/23 00:23, 1年前 , 16F
像一般的數位訊號線就不太會用銀端子
08/23 00:23, 16F
推
08/23 10:07, 1年前 , 17F
要都是同種金屬那根本不可能 端子跟線材必須做連接
08/23 10:07, 17F
→
08/23 10:09, 1年前 , 18F
要嘛焊接要嘛壓接 焊接會用上焊料 壓接也得做鍍層等處理
08/23 10:09, 18F
→
08/23 10:10, 1年前 , 19F
還得考慮線材會氧化 端子有可能撞到摔到受力變形
08/23 10:10, 19F
→
08/23 10:10, 1年前 , 20F
合金和鍍層都是為了解決這些鳥毛問題的必要手段
08/23 10:10, 20F
→
08/23 10:12, 1年前 , 21F
能夠做到「該怎麼做就怎麼做」就已經很不簡單了
08/23 10:12, 21F
→
08/23 10:13, 1年前 , 22F
宣傳性質的詞彙那就不要想太多 當成是審美觀的差異也可以
08/23 10:13, 22F
推
08/23 11:15, 1年前 , 23F
有錢買線的人不會討論這個 沒錢買的會討論但沒錢XDD
08/23 11:15, 23F
→
08/23 12:30, 1年前 , 24F
你只的是整顆頭都銀還是鍍層而已
08/23 12:30, 24F
→
08/23 12:30, 1年前 , 25F
你的假設看起來很像是整顆單一材料
08/23 12:30, 25F
→
08/23 12:31, 1年前 , 26F
我想說的是，如果假設是整顆頭單一材料的話
08/23 12:31, 26F
→
08/23 12:31, 1年前 , 27F
這個假設是沒有意義的XD
08/23 12:31, 27F
→
08/23 13:15, 1年前 , 28F
然後我其實有點小疑問
08/23 13:15, 28F
→
08/23 13:15, 1年前 , 29F
WF的定義是電子要脫離solid本身
08/23 13:15, 29F
→
08/23 13:15, 1年前 , 30F
不管是到vacuum還是哪裡，至少有脫離
08/23 13:15, 30F
→
08/23 13:15, 1年前 , 31F
導體本身
08/23 13:15, 31F
→
08/23 13:15, 1年前 , 32F
而線材和端子中間都焊錫連接
08/23 13:15, 32F
→
08/23 13:15, 1年前 , 33F
最多也就是公母頭那邊機械式夾緊，會有
08/23 13:15, 33F
→
08/23 13:15, 1年前 , 34F
空隙
08/23 13:15, 34F
→
08/23 13:15, 1年前 , 35F
但在電子基本都在導體流動的情形下
08/23 13:15, 35F
→
08/23 13:15, 1年前 , 36F
用WF來推論是合理的嗎
08/23 13:15, 36F
推
08/23 14:07, 1年前 , 37F
我不是材料的專家，但是Fermi level的定義就是Vac
08/23 14:07, 37F
→
08/23 14:07, 1年前 , 38F
uum level-WF，所以金屬-金屬的異質介面應該還是可
08/23 14:07, 38F
→
08/23 14:07, 1年前 , 39F
以用Fermi level畫出類似能帶圖的東西。但是我簡單
08/23 14:07, 39F
→
08/23 14:07, 1年前 , 40F
Google一下只有看到金屬接半導體的討論，沒有看到
08/23 14:07, 40F
→
08/23 14:07, 1年前 , 41F
有人用這個角度討論金屬-金屬介面。
08/23 14:07, 41F
推
08/25 09:24, 1年前 , 42F
也許單純當作是不同材質端子的調音就好
08/25 09:24, 42F
‣ 更多 wyred 的文章
文章代碼(AID): #1Z0u1HEy (Headphone)