[理工] 電子學
本版首PO，如有冒犯請多多指教～
pn junction部分，
史密斯電子學第六版54頁最上面那段寫說，
Drift Current(漂移電流)跟空乏區的電場E的"值"無關，只跟溫度有關；
可是前面Drift Current的那一節，
漂移電流的電流密度公式是 J = q( pμ+ nμ)E
而電流密度乘上截面積A就是電流了，
這樣看起來跟電場值很有關係，
為什麼又說漂移電流跟電場值無關呢？
第二個問題是，
為什麼pn junction施加逆向偏壓是讓空乏區變寬不是變窄？
空乏區是電子和電洞因為擴散穿過pn介面而結合，使介面兩側的離子uncovered而形成；
既然施加逆向偏壓會使barrier變大，載子更難穿過介面，
那uncovered的離子應該會變少，進而空乏區會變窄才對，
是我有哪個部分理解錯了嗎？
以上兩個問題，謝謝～
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推
03/05 21:59, , 1F
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再看一遍比較清楚了，謝謝!
※ 編輯: SilkyW 來自: 140.117.178.84 (03/06 14:11)
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