[理工] [電子]半導體物理

看板Grad-ProbAsk作者 (電磁霸主)時間14年前 (2012/02/04 17:23), 編輯推噓2(200)
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Under thermal equilibrium,which of the following approache(s) can create a built-in electric field in a semiconductor? (A) p-n juction (B) spatial variation of doping concentration (C) hetrojuction (D) schottjy contacts (E) n-type GaAs (F) intrinsic Si 我看到有(A)(B)(C)(D)和(A) 哪個對呢 ? -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 111.249.157.238

02/04 17:30, , 1F
我覺得是ABCD@@
02/04 17:30, 1F

02/04 20:44, , 2F
ABCD
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文章代碼(AID): #1FBFabLK (Grad-ProbAsk)
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