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討論串[問題] 關於先進製程類比電路設計
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Re: [問題] 關於先進製程類比電路設計
推噓2(2推 0噓 5→)留言7則，0人參與, 4年前最新作者jamtu (月光下的智慧)時間4年前 (2021/04/19 03:11), 4年前編輯資訊
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這是錯誤的設計方法與觀念. 正確的設計方法是你先大致決定MOS多少電流. 然後開始tune W跟L. 1. 讓你的VGS不會爆炸. 2. 讓你的gm足夠. 3. 讓你的gmro足夠. 4. 注意寄生電容不要太大不然會很容易看到寄生pole不穩定. 至於怎樣的W跟L可以達到你需要？. 定電流掃一個di
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[問題] 關於先進製程類比電路設計
推噓9(9推 0噓 5→)留言14則，0人參與, 4年前最新作者darksoul8507 (soul)時間4年前 (2021/04/17 18:32), 編輯資訊
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各位版上大大好：. 小弟現在在使用40nm的製程，. VDD電壓很低，. 本來小弟的設計流程是會先跑個nmos和pmos的模擬，. 從hspice的lis檔得知大概的uCox,VA,vth,gamma值，. 接著開始如史密斯電子學內所教的來設計電路。. 以前是使用350nm和180nm製程，但現在換
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