討論串[問題] 65nm製程, 200mA電流輸出的LDO
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推噓1(1推 0噓 0→)留言1則,0人參與, 最新作者Jeid (紐約 台北 下一站)時間13年前 (2012/04/23 02:02), 編輯資訊
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65nm跟0.6um比起來 要特別注意就是device耐壓問題 特別是Vgs. 不知道你的VDD幾伏? assume VDD from 3V to 4.6V. power on的時候 要特別小心每個device的Vgs不要超過max值. 65nm的HV 5V 是Vds可以承受5V 但Vgs只有2.5
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推噓2(2推 0噓 8→)留言10則,0人參與, 最新作者kk123 (阿熊)時間13年前 (2012/04/12 22:25), 編輯資訊
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最近本人所在的部門很幸運的接了某客戶妥託設計一顆 65nm, 200mA電流輸出的LDO (IP). 但.... 我以前只有在 0.6um 下作過 300mA 的 LDO (IC),有tape-out驗證過會動。. 因為我們部門之前沒有人下過 65nm 的.... 所以想問問看板上的高手,. 從 0
(還有196個字)
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