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討論串[問題] 請教一個有關製程電壓上限的問題
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Re: [問題] 請教一個有關製程電壓上限的問題
推噓0(0推 0噓 0→)留言0則，0人參與, 最新作者jfsu (水精靈)時間14年前 (2012/03/01 01:44), 編輯資訊
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所謂的電壓上限，應該就是指『崩潰電壓(Break down Voltage, BV)』，它通常分為. 閘氧化層(Gate oxide)與接面(junction)崩潰電壓。一般而言，junction的BV是小於. oxide。. 你的第一個問題:『製程裡面都會說這個mos是幾伏特的?』. Answer
(還有431個字)
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[問題] 請教一個有關製程電壓上限的問題
推噓1(1推 0噓 1→)留言2則，0人參與, 最新作者technology55 (jkl)時間14年前 (2012/02/29 23:24), 編輯資訊
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製程裡面都會說這個mos是幾伏特的. 指的是gate的電壓上限嗎. 但我看paper有時會看到他們會設計保護電路來避免單個mos的vds過高. 請問單個mos的vds過高會有什麼問題嗎. 如果有的話能從TSMC or UMC的製程檔裡找到drain與source端的電壓上限嗎. 感激不盡. --.
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