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討論串[問題] 請問MOS元件Cgs與Cgd
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Re: [問題] 請問MOS元件Cgs與Cgd
推噓1(1推 0噓 0→)留言1則，0人參與, 最新作者jfsu (水精靈)時間16年前 (2010/04/09 00:35), 編輯資訊
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就算切齊對準，曝光機一照，繞射與干射不會讓你有個正正方方的圖案。. 而且加上離子佈植和退火，使得這些參雜原子擴散至周圍。. 至於你說的角度，那是因為怕離子佈植時，入射原子會沿著某個方向直直地打入最深層。switch time會變長。. Cgs與Cgd應該包括了自己與fringing effect的部
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[問題] 請問MOS元件Cgs與Cgd
推噓4(4推 0噓 1→)留言5則，0人參與, 最新作者wwwok (AIC)時間16年前 (2010/04/08 00:18), 編輯資訊
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如題 想請問一下各位高手. 為什麼MOS中D端和S端在G端底下會延伸出去一點?. 為什麼不剛剛好切齊對準就好?. 根據我翻書的結論 好像是因為製程上的關係. 離子佈植和退火後擴散所造成的. (印象中是不是有一個離子佈植的角度?好像是七度還六度的). Cgs和Cgd的形成是因為這樣來的嗎?. 這兩個電
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