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討論串[問題] 關於閘極(通道)長度問題...
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#5
Re: [問題] 關於閘極(通道)長度問題...
推噓3(3推 0噓 1→)留言4則，0人參與, 最新作者kenny750730 (傷心人)時間18年前 (2007/11/06 00:25), 編輯資訊
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無論如何 很感謝你的回應 但是我得跟你說一下 GATE oxide 1.2nm已經是非常非常小了. 也已經幾乎是極限了 在更薄 量子穿遂效應會很嚴重導致雜極漏電流大增. 其它你解釋的都很合理 可是 ＩＮＴＥＬ也宣布45nm技術節 閘極（通道）長度. 也約略是45/2nm = 20nm左右 32nm技
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#4
Re: [問題] 關於閘極(通道)長度問題...
推噓2(2推 0噓 0→)留言2則，0人參與, 最新作者pow (體脂肪35%)時間18年前 (2007/11/05 22:55), 編輯資訊
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第一個網站的來源應該是. ftp://download.intel.com/technology/silicon/65nm%20IEDM%2004%20paper.pdf. 請注意. Foundry說的製程名稱不等於實際gate length. 那只是代表一個technology node. 例如有
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#3
Re: [問題] 關於閘極(通道)長度問題...
推噓1(1推 0噓 0→)留言1則，0人參與, 最新作者kenny750730 (傷心人)時間18年前 (2007/11/05 21:31), 編輯資訊
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那為啥第一個網站這樣說呢???確定嗎????. SORRY 因為時在有點懷疑 所以才希望有官方說法或更詳細說法. 謝謝. --. ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc). ◆ From: 211.74.80.54.
#2
Re: [問題] 關於閘極(通道)長度問題...
推噓0(0推 0噓 0→)留言0則，0人參與, 最新作者Festung (die Festung Iserlon)時間18年前 (2007/11/05 21:00), 編輯資訊
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指的是閘級的長度（通道長度）吧，. 大概像是這樣（借一下進版的圖<(_._)>）：. | 65nm |. |<------------->|. | |. Source Gate Drain. ○ oxide ○ metal ○. ┌┴┐┌───┴───┐┌┴┐. ─┴┬┴┴┬─────┬┴┴┬┴─.
#1
[問題] 關於閘極(通道)長度問題...
推噓0(0推 0噓 0→)留言0則，0人參與, 最新作者kenny750730 (傷心人)時間18年前 (2007/11/05 20:28), 編輯資訊
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想請問各位在做元件的板友們 所謂90nm 65nm 45nm 製程技術. 指的究竟是閘極長度(即通道長度). 還是說指的是drin 到source. 的總長度 然後閘極長度(通道長度)是 90/2=40nm多 65/2=30nm多. 45/2 =22nm多. 這網站說 http://www.oc.c
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