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討論串[請益] 請教關於完全空乏區!
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#4
Re: [請益] 請教關於完全空乏區!
推噓0(0推 0噓 0→)留言0則，0人參與, 最新作者hajiweon (hajiweon)時間19年前 (2006/08/05 23:28), 編輯資訊
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我有另外一個問題.... 空乏區顧名思義是"載子"空乏...都是空間電荷..... 那它算是大電阻區嗎?. (可是電場又很大...電流很容易流過去..). 這個地方一直想不通...><. 有大大可以解釋一下嗎?. --. ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc). ◆ From: 61.224.2
#3
Re: [請益] 請教關於完全空乏區!
推噓1(1推 0噓 7→)留言8則，0人參與, 最新作者Rigid (陽光下的奇蹟)時間19年前 (2006/05/30 01:26), 編輯資訊
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那是mos中的punch-through吧？. breakdown voltage跟oxide的厚度與quality有關. (可以去查大施敏後面的附錄）. 跟depletion region無關. SOI的優點跟depletion region應該沒有什麼關係. 主要是SOI沒有body effec
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#2
Re: [請益] 請教關於完全空乏區!
推噓0(0推 0噓 0→)留言0則，0人參與, 最新作者cehobo (告別58)時間19年前 (2006/05/29 23:01), 編輯資訊
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完全空乏時,可耐的電壓相當的大...在mos元件中,其崩潰電壓與空乏區的長度成正比. --. ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc). ◆ From: 61.216.219.219.
#1
[請益] 請教關於完全空乏區!
推噓2(2推 0噓 1→)留言3則，0人參與, 最新作者bonjoviphy93 (ZZZZ......)時間19年前 (2006/05/28 13:49), 編輯資訊
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不好意思小弟不才，想情問各位大大. 一般我們知道P N JUNCTION 接連時會產生"空乏區". 當接上逆向偏壓時空乏區會隨著逆向偏壓變大而增大. 這時候，如果將逆向偏壓增加使空乏區變寬到整個. P , N type半導體都變成空乏區時，此時電容是最小. （因為C正比於 1/空乏區寬度），此時無論
(還有129個字)
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