[問題] N/P mos 相同Pkg size下的Rds on何者較大

看板Electronics作者 (耀西羅)時間2年前 (2021/12/10 16:09), 編輯推噓1(1推 0噓 4→)
留言5則, 3人參與, 2年前最新討論串1/1
目前對於何者較大的問題很困擾 透過Early voltage的公式推導 假設Ids 相同情況下 因為N的mobility為P的兩倍多左右 那代表須提高Pmos的寬度 但這樣就無法以相同pkg size下作比較 想請問有什麼驗證能實際推倒出何者的導通電阻較大 -- Sent from nPTT on my iPhone 12 Pro -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 42.73.96.49 (臺灣) ※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Electronics/M.1639123794.A.F28.html
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12/10 18:05, 2年前 , 1F
經驗跟你說 4倍 PMOS 20k NMOS 5 k 我是這樣記阻值 當開
12/10 18:05, 1F
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12/10 18:05, 2年前 , 2F
關用
12/10 18:05, 2F
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12/10 18:08, 2年前 , 3F
Early voltage怎麼會當開關用，應該在sat吧
12/10 18:08, 3F
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12/10 18:14, 2年前 , 4F
Ro如果Id Vod 都訂了那就調L吧
12/10 18:14, 4F
推
12/11 00:07, 2年前 , 5F
看製程吧 那不是線性的 還要看l
12/11 00:07, 5F
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