[問題] MOS基板的功用?

看板Electronics作者 (片翼碎夢)時間3年前 (2021/04/16 20:57), 3年前編輯推噓6(6推 0噓 27→)
留言33則, 3人參與, 3年前最新討論串1/1
如題 今天突然想到，怎麼好像基板只有基板效應和給人家漏電流時會提到 難道其實基板是不必要的嗎?只記得以前好像有看到要電荷平衡啥的，於是從維基開始重讀 →要形成通道，是要靠閘極和源極之間的電位差 →配置:基板和閘極為MOS電容的兩個端點 所以要維持平行電位板結構的話，應該還是要有基板 可是我想想不對啊!那SOI和DG怎麼成的?這兩個架構都直接否定掉原本的電容結構啦 後來我又想，對齁!其實真正需要的，還是表面那層靜電感應造成的電荷形成的通道 所以如果製程允許，其實我可以讓body中間那塊負責電荷平衡 把body整個用閘極包起來，通道就分佈在整塊body的表面上 靜電感應的調整完全只交給閘極處理 示意圖(沒有畫氧化層) https://imgur.com/iByn685
又想想，難道這就是GAA中奈米線的概念? 以前讀這些的時候是用閘極的控制能力去想的，沒有從電荷的角度去想過 所以不拿掉基板只是因為製程上太麻煩(耗錢)的緣故，其實它真的不必要? 不知道到這裡為止有沒有想對，因為想想即使是FDSOI的圖，下面仍然有一大塊的基板在 實在不知道在FDSOI的配置下，基板扮演的角色和在planar中有沒有不同 之前看的DG的圖好像就真的沒有看到基板了 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 223.139.143.146 (臺灣) ※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Electronics/M.1618577868.A.4A5.html
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04/17 06:00, 3年前 , 1F
如果你有設計到PCB，基板就是拿來接大地共電流回流使用的
04/17 06:00, 1F
那為什麼dg好像就沒基本板了 他是用什麼手段去處理接地的問題?
推
04/17 08:10, 3年前 , 2F
基本是要的啊....回去念念元件
04/17 08:10, 2F
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04/17 08:11, 3年前 , 3F
你沒有壓差 沒有 barrier是要關個鬼電流啊
04/17 08:11, 3F
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04/17 08:11, 3年前 , 4F
MOS的問題在如何關掉
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04/17 08:13, 3年前 , 5F
你把中間那裡的band 畫畫 拿個medici切切看
04/17 08:13, 5F
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04/17 08:14, 3年前 , 6F
另外基本的另一個用處是應力 太薄會彎或是碎
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04/17 08:14, 3年前 , 7F
50um以下厚度問題就來了
04/17 08:14, 7F
推
04/17 08:20, 3年前 , 8F
SOI就是自以為去掉漏電的路 結果就變熱能了啊XD
04/17 08:20, 8F
原來還有這問題 還以為只是因為製程比較貴而已 ※ 編輯: fragmentwing (223.139.143.146 臺灣), 04/17/2021 11:02:17 ※ 編輯: fragmentwing (223.139.143.146 臺灣), 04/17/2021 11:03:49
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04/17 11:28, 3年前 , 9F
barrier，你是指Vth嗎?那不是body那一塊在負責的嗎
04/17 11:28, 9F
推
04/17 12:39, 3年前 , 10F
= =" 你的 body? 不接東西嗎 (GAA我到是很久沒看了)
04/17 12:39, 10F
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04/17 12:41, 3年前 , 11F
那個body不就連在基板上? 只是濃度不同但還是通啊
04/17 12:41, 11F
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04/17 12:41, 3年前 , 12F
還是你講的基板跟我講的不一樣?? 你講的是最下面那
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04/17 12:42, 3年前 , 13F
很厚一層 ?
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04/17 12:42, 3年前 , 14F
那一層跟力學 價錢 材料 製程等比較有關
04/17 12:42, 14F
是這層沒錯 我是不是用substrate 表示會比較好? body這個用詞不是每篇在講的都有看到 但我目前看到的指的是被finfet關在中間 也就是源極汲極中間 靠近閘極的部分會形成通道的那一小塊 下面連著substrate (以一般planar來說)如果是FDSOI是連氧化層
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04/17 12:43, 3年前 , 15F
你長東西也要那一堆矽啊@_@~ 尤其是熱製程
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04/17 12:43, 3年前 , 16F
全從上方丟下去的對一些東西不好做
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04/17 12:44, 3年前 , 17F
你要用CMP從後面磨掉也不是說不行 但應力會彎
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04/17 12:44, 3年前 , 18F
你要打孔做3D也是可以 這個限制更多了
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推
04/17 12:51, 3年前 , 19F
DG是啥double gate? 也是要連啊 GAA我就不熟了
04/17 12:51, 19F
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04/17 12:52, 3年前 , 20F
你可以想成關一個水管 本來只能從上關 現在加上側
04/17 12:52, 20F
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04/17 12:53, 3年前 , 21F
邊也能關 就是FinFet GAA就是一圈都能關 但中間還
04/17 12:53, 21F
可是這樣我就想不到都已經把它環一圈了還要怎麼接出來 之前看到的示意圖比較像是一整塊閘極挖個洞放body（奈米線形式）兩邊就接著汲極源極
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04/17 12:54, 3年前 , 22F
是要有場的 不然場能float??
04/17 12:54, 22F
推
04/17 13:06, 3年前 , 23F
最近的新device就是在討論是不要要把場加回來
04/17 13:06, 23F
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04/17 13:07, 3年前 , 24F
雖然我不知道怎麼加就是了@_@~
04/17 13:07, 24F
※ 編輯: fragmentwing (223.139.143.146 臺灣), 04/17/2021 15:03:06 ※ 編輯: fragmentwing (223.139.143.146 臺灣), 04/17/2021 15:05:35
推
04/17 23:12, 3年前 , 25F
body在原來FinFet裡就是沒接的 直接float
04/17 23:12, 25F
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04/17 23:12, 3年前 , 26F
是後來大家又想把它帶回來 至於現代長怎樣我不知道
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04/17 23:13, 3年前 , 27F
GAA可能就沒有 直接用材料的特性deplete 做吧
04/17 23:13, 27F
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04/17 23:14, 3年前 , 28F
很厚一層叫substrate 那一層主要是散熱 價錢等考量
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04/17 23:14, 3年前 , 29F
尤其是你基材還是要si 還是要長得出來 所就放著
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04/17 23:14, 3年前 , 30F
矽是一個很好很好的材料的
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04/17 23:16, 3年前 , 31F
還有力學等 其他問題 拿掉你跟其他材料接 接面也
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04/17 23:17, 3年前 , 32F
會有問題 所留著用高壓長 背面不要再磨掉就好了
04/17 23:17, 32F
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04/17 23:17, 3年前 , 33F
GAA我是真不懂啦 我猜omega型可能還容易點
04/17 23:17, 33F
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