[問題] 將mos設計為開關的方法

看板Electronics作者 (linpogin)時間3年前 (2021/02/08 11:05), 編輯推噓5(5推 0噓 35→)
留言40則, 5人參與, 3年前最新討論串1/1
目前對於mos的應用有點搞不太清楚 該如何將mos設計為一開關使用 若將mos設為開關，需控制在歐姆區操作 Vgd>Vt, Vgs>Vt,此時Vds很小就能當作開關使用 有疑問的部分是我該怎麼設計一簡單電路為開關線路呢？需注意的部分有哪些 還有一個問題是飽和區的條件為Vgd<=Vt, Vg>=Vt,此時Vds很大 這部分是調整Rd去控制mos在飽和區或歐姆區嗎？還是有其他方式可以調整Vds的電壓 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 101.10.29.42 (臺灣) ※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Electronics/M.1612753505.A.EC2.html
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02/08 11:29, 3年前 , 1F
當開關不會操作在飽和區
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02/08 11:31, 3年前 , 2F
飽和區的vds 也不用很大，超過vgs-vt 就行了
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推
02/08 11:33, 3年前 , 3F
google「MOS 開關電路」找圖片，就有一堆電路圖範例了
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02/08 11:35, 3年前 , 4F
嗯 我知道開關是要用在歐姆區，但要怎麼確保mos工作
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02/08 11:35, 3年前 , 5F
在歐姆區呢？ 畢竟只差在Vgd>Vt這部分
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02/08 11:39, 3年前 , 6F
vg拉高你就很難在飽和區啦
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你要把mos 當作可變電阻來思考
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02/08 11:40, 3年前 , 8F
vgs拉電阻變很小，你要保持很大的vds操作在飽和區代表你
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要灌很大的電流給他
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電流不夠他就會自然在歐姆區
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當開關很多時候根本沒電流，只有電容負載，自然不會在
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飽和區
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02/08 11:54, 3年前 , 13F
所以基本上Vgs>Vt都能操作在歐姆區，除非Rd太小或VDD
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太大，才有可能導致mos進飽和區嗎
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Vgs調大，Id變大，Rds(on)變小，Rd不變的情況下Vds
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變小，就能操作在歐姆區
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vgs>vt你本來就可以設計Id來決定要把mos操作在飽和還歐
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姆區
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推
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基本上，MOS電流是跟通道開啟的開口寬度有關，Vgs不大時，
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02/08 12:04, 3年前 , 20F
通道一端開口隨Vgs愈大愈大，但Vgs大到一個程度時，通道開
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口就達到極限寬度了，此時通道開口幾乎是最大的，而歐姆區
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跟飽和區的差別，就在於通道開口是否有限或可微調了
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02/08 12:24, 3年前 , 23F
據我目前的理解，Rd不變的情況下，單調整Vgs的話，會
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影響Id的大小，進而影響Vds，但在Vgs不變的情況下，
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若要決定歐姆區或飽和區的話，應是調整Rd來決定Vds，
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02/08 12:24, 3年前 , 26F
此時便能控制Vds大小進而控制mos在歐姆區或飽和區，
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02/08 12:24, 3年前 , 27F
我這理解是對的嗎
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推
02/08 12:26, 3年前 , 28F
你要什麼開關? 0/1 analog?
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02/08 12:29, 3年前 , 29F
單純就是Vgs拉H，Vd拉L的開關而已，只是L要拉的確實
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02/08 12:29, 3年前 , 30F
，若不小心在飽和區的話，L就非0V了吧
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02/08 12:36, 3年前 , 31F
邏輯開關根本沒電流，怎麼跑到飽和區
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02/08 13:46, 3年前 , 32F
Vgs拉H，mos導通，不就會有Id電流嗎
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02/08 13:47, 3年前 , 33F
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02/08 13:48, 3年前 , 34F
單純這種電路
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02/08 14:42, 3年前 , 35F
欸因為現在大多都用cmos邏輯了，你要用nmos 邏輯的話那
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02/08 14:42, 3年前 , 36F
就是Rd要放夠大
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推
02/08 16:01, 3年前 , 37F
數位用transmission gate就ok啦 nmos 就是會加負載之類
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02/08 16:01, 3年前 , 38F
的
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推
02/09 00:20, 3年前 , 39F
樓上正解 所以我才問到底要什麼開關
02/09 00:20, 39F
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02/09 00:22, 3年前 , 40F
on/off的拿到TG就解了 別串太多就好
02/09 00:22, 40F
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