[討論] 28nm 與0.13um 類比設計考量

看板Electronics作者 (費里曼)時間6年前 (2019/04/05 18:29), 編輯推噓16(16推 0噓 18→)
留言34則, 14人參與, 6年前最新討論串1/1
請問各位前輩28nm 與0.13um 類比設計考量 有何不同，28nm上面必須特別注意什麼 感謝 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 114.136.186.54 ※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Electronics/M.1554460189.A.7D0.html
→
04/05 19:07, 6年前 , 1F
注意gate length不能小於28nm
04/05 19:07, 1F
推
04/05 19:12, 6年前 , 2F
注意schedule不要delay,老闆會不爽
04/05 19:12, 2F
→
04/05 19:33, 6年前 , 3F
leakage , mismatch, Vov ,layout 需特別注意的嗎？
04/05 19:33, 3F
推
04/05 21:24, 6年前 , 4F
這個問題真好 先念個書吧 by 外行人
04/05 21:24, 4F
→
04/05 22:02, 6年前 , 5F
28nm... 這邊應該沒幾個碰過
04/05 22:02, 5F
推
04/05 22:18, 6年前 , 6F
LPE, WPE, LOD, device mismatch
04/05 22:18, 6F
→
04/05 22:26, 6年前 , 7F
請問J大 若MOS操作在 sub threshold ,run mismatch的結
04/05 22:26, 7F
→
04/05 22:26, 6年前 , 8F
果可信嗎？已經無法用手算驗證 感謝
04/05 22:26, 8F
推
04/05 22:44, 6年前 , 9F
28nm要考量的東西多太多，先找書看建立基礎，比較重要
04/05 22:44, 9F
→
04/05 22:44, 6年前 , 10F
的是漏電，變異，佈局繞線的寄生效應與電源管理
04/05 22:44, 10F
推
04/05 22:46, 6年前 , 11F
然後跑模擬一定要跑局部最差點的蒙地卡羅，
04/05 22:46, 11F
→
04/05 22:46, 6年前 , 12F
另外時間管理要做好，不然很容易做不完
04/05 22:46, 12F
推
04/05 22:49, 6年前 , 13F
這裡有人做的 （不是我） 不然問教主 XD
04/05 22:49, 13F
→
04/05 22:49, 6年前 , 14F
真的先看書先 XD 差蠻多的 我只是一邊打醬油的都知
04/05 22:49, 14F
→
04/05 22:49, 6年前 , 15F
道呢~
04/05 22:49, 15F
推
04/06 16:50, 6年前 , 16F
請參考 貴公司/貴校由製程單位提供的Design Rules XDD
04/06 16:50, 16F
推
04/06 16:52, 6年前 , 17F
不然問問你們那邊的資深人員或學長姐
04/06 16:52, 17F
推
04/06 22:40, 6年前 , 18F
$$$$$
04/06 22:40, 18F
→
04/07 15:10, 6年前 , 19F
基本上mismatch model 還是在vth and beta terms in su
04/07 15:10, 19F
→
04/07 15:10, 6年前 , 20F
b region
04/07 15:10, 20F
→
04/07 15:11, 6年前 , 21F
你還是要知道在電路上運作方法，再去思考這兩項的影響
04/07 15:11, 21F
→
04/07 15:12, 6年前 , 22F
舉例來說，in diff. pair input of opamp , 他的重點會
04/07 15:12, 22F
→
04/07 15:12, 6年前 , 23F
在於vth
04/07 15:12, 23F
→
04/07 15:13, 6年前 , 24F
所以mismatch model 是可相信的
04/07 15:13, 24F
→
04/07 15:13, 6年前 , 25F
另外提醒你在28nm , design 的時候就要思考layout 方法
04/07 15:13, 25F
→
04/07 15:14, 6年前 , 26F
而且drc runset 會不只一個
04/07 15:14, 26F
推
04/07 21:25, 6年前 , 27F
注意不能出錯不然光罩很貴
04/07 21:25, 27F
推
04/08 13:19, 6年前 , 28F
可以問一下局部最差點是什麼意思嗎？感謝
04/08 13:19, 28F
推
04/09 17:39, 6年前 , 29F
MOSFET 不允許轉 90 度
04/09 17:39, 29F
推
04/09 18:22, 6年前 , 30F
htt ps: // ppt .cc / fYDabx
04/09 18:22, 30F
→
04/09 18:23, 6年前 , 31F
這裡有詳細描述全局跟局部蒙地卡羅介紹
04/09 18:23, 31F
推
04/12 03:11, 6年前 , 32F
layout很酷
04/12 03:11, 32F
推
04/12 12:11, 6年前 , 33F
Variations...Layout
04/12 12:11, 33F
推
04/12 18:04, 6年前 , 34F
感謝 a大 ， 45n 的文件就是這樣，沒解說看不大懂
04/12 18:04, 34F
‣ 更多 pwenlin 的文章
文章代碼(AID): #1SfouTVG (Electronics)