[問題] 蕭特基接觸

看板Electronics作者 (lalala)時間7年前 (2018/12/02 21:16), 編輯推噓2(2推 0噓 5→)
留言7則, 4人參與, 7年前最新討論串1/1
板上大大好 最近在研讀半導體時有些疑問 關於 汞探針C-V量測半導體阻值 是利用金屬與磊晶層形成蕭特基接觸 而在金屬與磊晶層之間的形成空乏區 藉由改變電壓的大小 電容大小隨之改變 可測得參雜之濃度 請問這裡的空乏區就像電容器內絕緣層的概念嗎 因為非本科系 一點笨問題 還請大大指點 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 123.192.95.238 ※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Electronics/M.1543756565.A.E8C.html
推
12/02 22:15, 7年前 , 1F
它是比較像PN-junction
12/02 22:15, 1F
→
12/02 22:17, 7年前 , 2F
但卻是由多數載子主導電流，PN接面是少數載子。
12/02 22:17, 2F
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12/02 22:18, 7年前 , 3F
12/02 22:18, 3F
推
12/03 17:57, 7年前 , 4F
樓上說得沒錯
12/03 17:57, 4F
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12/03 19:54, 7年前 , 5F
然後太薄就穿過去了
12/03 19:54, 5F
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12/04 09:52, 7年前 , 6F
那請問對於：cv量測首先要先形成MOS結構 這句話有衝突嗎
12/04 09:52, 6F
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12/04 09:52, 7年前 , 7F
？所以對於汞cv量測來說空乏層便是MOS中的O嗎？
12/04 09:52, 7F
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