[問題] NOR flash 的 program 方式

看板Electronics作者 (給我一點運氣)時間7年前 (2018/04/17 17:05), 編輯推噓0(0推 0噓 10→)
留言10則, 3人參與, 7年前最新討論串1/1
請教版上高手 最近看資料遇到一些問題 關於 NOR and NAND flash, program/erase 方式 NOR program 使用 channel hot electron injection NAND program 是使用 F-N tunneling 而 erase 方式 NOR and NAND 均是用 F-N tunneling erase 想請教 1. 為何 NOR flash program 方式不用 F-N tunneling ? 2. F-N tunneling 在 tunnel oxide 需較大跨壓, 理論上較容易對 oxide 造成 damage, 而 NAND 是用此方式, NAND 對 cycling 後的品質要求度較低嗎? 謝謝 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 61.220.100.7 ※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Electronics/M.1523955932.A.AB8.html
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04/17 18:43, 7年前 , 1F
Nor的結構FN program沒法inhibit
04/17 18:43, 1F
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04/17 18:46, 7年前 , 2F
而且Hot e應該比fn容易damage oxide
04/17 18:46, 2F
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04/17 18:48, 7年前 , 3F
Nand reliability比nor差但是是因為cell小很多，而且str
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04/17 18:48, 7年前 , 4F
ing 上其他cell在program的時候也會disturb，次數比較多
04/17 18:48, 4F
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04/17 20:23, 7年前 , 5F
謝謝, 請問沒法inhibit是什麼意思?
04/17 20:23, 5F
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04/17 23:04, 7年前 , 6F
不希望被program的bit不被program
04/17 23:04, 6F
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04/17 23:05, 7年前 , 7F
用FN的話BL要灌高壓，會很麻煩
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04/17 23:09, 7年前 , 8F
CSL共用也沒辦法給不同電壓
04/17 23:09, 8F
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04/17 23:11, 7年前 , 9F
04/17 23:11, 9F
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04/19 00:44, 7年前 , 10F
xd 這解釋專業~
04/19 00:44, 10F
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