[討論] 一個以BJT控制NMOS做為開關的電路
大家好，電路圖如上，
文有點長，再懇請大家幫小弟解惑。
這個電路目的是讓MOS Drain端的12V可以過去到Source端
由圖中最左邊的Ctrl送High/Low，經BJT反相後控制MOS的Gate
另外2點簡單說明：
1. 由於Q4還有控制其他部分的電路，所以才會有Q4
2. MOS GS間的100K及一般二極體的目的是，防止關斷MOS時，Source的12V流經zener及Q2放電時，電流過大燒毀zener。
然後因為這個電路是以前的人設計的，所以有幾個問題想請問板上的電機電子高手大大：
1. Q4 off時，Q6 base接的二極體也因逆偏截止，這時base的電位究竟應該算是？是否接個電阻到地會比較好？
2. Q2 on時，集極電流Ic從哪裡來？Q6已經截止了耶。
3. MOS導通瞬間，gate電位為12.7V(二極體+zener)→MOS導通→source有12V。
如果要繼續保持導通(飽和區)，需滿足兩個條件：
(1)Vgs>Vth，Vth為1.4V
Vg-12>1.4，Vg>13.4。
(2)Vgd≦Vth
Vg-12≦1.4
Vg≦13.4
https://i.imgur.com/1WYxObZ.jpg
請問是不是我以上分析有問題，
如果我的分析是對的，
那便是這個電路本身設計有問題吧？
4. 目前有實際接出來且工作如預期正常的電路，MOS導通後gate穩態電壓量到約18V，如此一來Vgd=6V>Vth，這樣一來MOS不會從飽和區退回歐姆區嗎？
5. 我認為Q6是多餘的，+20V直接經電阻接到Q2集極，Q2本身便可以反相，這樣的理解是對的嗎？
感謝耐心看完的大大，如有需要我補充說明的資訊歡迎提出，謝謝！
--
標題 [新聞] 孔子要哭了！北京國子監大街匾額竟寫錯字
綜合外媒報導，近日有民眾向媒體反映，緊鄰北京孔廟的國子監大街院落匾額，竟然出現
寫錯字的烏龍，匾額本應寫上「聖人鄰里」，卻誤寫成「聖人鄰裡」
→
04/10 12:54,
04/10 12:54
推
04/10 12:54,
04/10 12:54
推
04/10 13:47,
04/10 13:47
--
※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 123.194.85.30
※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Electronics/M.1505054119.A.829.html
※ 編輯: yiting428 (123.194.85.30), 09/10/2017 22:41:55
→
09/10 22:57, , 1F
09/10 22:57, 1F
推
09/10 23:18, , 2F
09/10 23:18, 2F
→
09/10 23:24, , 3F
09/10 23:24, 3F
推
09/10 23:27, , 4F
09/10 23:27, 4F
→
09/10 23:27, , 5F
09/10 23:27, 5F
→
09/12 21:48, , 6F
09/12 21:48, 6F