Re: [問題] 快閃記憶體 SLC VS MLC

看板Electronics作者 (戴涅克斯)時間7年前 (2017/07/11 14:01), 7年前編輯推噓0(000)
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※ 引述《eton821002 (Eton)》之銘言: 幫友人代PO --------------------------------------------------------------------- 已知MLC可以透過只灌Low page的方式來完成SLC mode。 目前有個問題想問,假設這顆MLC的某個block已經達到了他的PE極限(3000), 若我將這個block轉成SLC mode 那麼他還能再經過多少次的PE呢? --------------------------------------------------------------------- Flash 失效的原因之一(實際上更多種 勿戰) 無法辨識電位 (可能因為FG穿隧太多次而導致結構破損漏電損失電位) 以上為前言 當失效形成時 MLC 無法維持寫入當下的4種電位 (因為漏電) 利用工具改成 只分辨2種電位 並無實質上的改善 漏電就是漏電 維持能夠被辨識的電位時間長短差異而已 如果資還要很珍貴 建議不要這麼做 這只是其中一種失效模式(只考慮漏電因素) 實際上更複雜 應該能用主控的錯誤校正來降低失誤 幫助有多大就考驗主控性能與人品了 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 223.136.232.208 ※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Electronics/M.1499746498.A.5FD.html ※ 編輯: eton821002 (223.136.232.208), 07/11/2017 12:17:33 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 42.72.229.11 ※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Electronics/M.1499752860.A.7B1.html
文章代碼(AID): #1PP6cSUn (Electronics)
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