[請益] 數位電路動態耗電versus製程微縮

看板Electronics作者 (qqq332)時間8年前 (2016/07/13 23:07), 編輯推噓5(506)
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大家好, 如果僅考慮數位電路的動態耗電就好 已知數位電路的動態耗電為P=0.5*f*C*V^2; 那麼如果製程微縮了,比如從90nm -> 65 nm。 那麼數位電路的動態耗電可以打幾折? 前提是假設操作電壓V一樣好了, 僅考慮製成微縮對Standard cell內的寄生電容變小的效應。 那麼動態耗電是否會是乘上65/90這個scaling factor。 簡而言之,我想問的應該是製程微縮對寄生電容產生的影響? 不知道這樣估計是否有意義,還是各位有什麼想法? 謝謝各位。 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 36.229.102.109 ※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Electronics/M.1468422433.A.CA0.html

07/14 02:17, , 1F
這樣估計是有意義,但C計算很複雜... 新製程走線的coup
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le值不見得變小
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超有意義 vlsi的書都會整理一個表 說明製程微縮的各項參數
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變化
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愈小愈沒有意義 還不如去看VDD 快一點
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各位大大有點誤解我的意思了。 如果我只想估動態耗電
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隨製程的微縮比例,我應該怎麼估?是否有一套通則?
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那我這樣問好了,你手邊有那些資料?製程檔?designkit
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? stdcell的資料文件?有資料就會有有資料的估法,沒資
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料就只能用沒資料的估法,不過後者結果可能意義不大
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07/17 07:40, , 11F
看電壓啊
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