Re: [問題] AIC中Bias電路的優劣如何判斷?

看板Electronics作者 (蘑菇)時間8年前 (2016/03/08 09:35), 8年前編輯推噓6(603)
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※ 引述《ap4318 (gorockboy)》之銘言: : 在設計類比電路最重要的源頭大概就是bias電路了吧!? : 因為很多子電路都需要bias電壓 : 自己在設計bias電路時多參考Martin書中的constant gm電路 : 但還是不太曉得怎麼樣算是好的設計? 推文已經有人說明了:reference電壓不隨溫度與電源擾動 For BSIM3V3 model, its accuracy of the temperature range is around -50°C to 150°C or -40°C to 125°C. 自己決定一下溫度範圍. 學術的大概不care溫度, 有跑出東西就偷笑了, 反正只要萬中取一 (just joking) FYI, temperature stable voltages typically have a temperature coefficient(TC) 10 ppm/°C (If you want a challenge, try to follow it.) 電源雜訊除了測PMRR, 就去買一顆要用的DCDC or PMIC然後量測其輸出power supply雜訊, 將雜訊存起來放進電路模擬,看看結果. 用constant gm (I assume it's Beta Multiplier Reference), 要用外接電阻調電壓時, 注意正回授loop gain要小於1.(bonding pad會貢獻大電容), Vref做成震盪器也是很有趣 就是了~ : 是兩條path的電流值要相近一點?! 應該是看Vov是否相近(假設你的unit MOS size相同), 多少還要看製程. 反正電流密度一樣就是了.自己layout注意. : 還是要考慮每顆電晶體的Vov大小?! : 我的考慮是電流值不必太大,其他電路有需要電流源的話在放大W/L就好 要複製電流的話還是用Vref做一個Linear Voltage Regulator(DCDC)再將電流複製去別處 (這可外接R去調電流) Current Mirror離的遠要記得放Caps, 並且注意Vov, 看是否要加 R or MOS去做Vov matching. : 如果電流想copy的準一點再取長一點的L : 其餘偏壓點的電壓值就不知如何決定了 : 主要就是tune到都操作飽和區 : 然後Vov在100mV~200mV : 有前輩可以分享自己的經驗嗎? : 感謝!!!!! : ----- : Sent from JPTT on my HTC One 801e. -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 118.166.105.147 ※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Electronics/M.1457400955.A.83E.html ※ 編輯: elfmushroom (118.166.105.147), 03/08/2016 09:45:48

03/08 12:31, , 1F
哪有什麼好設計 合用的就是好設計
03/08 12:31, 1F

03/08 12:32, , 2F
BG bias明明很多時候不好用 怎摸會說好用
03/08 12:32, 2F

03/08 13:04, , 3F
ob"="ov
03/08 13:04, 3F

03/08 13:12, , 4F
是obov耶~~
03/08 13:12, 4F

03/08 13:12, , 5F
03/08 13:12, 5F

03/08 20:28, , 6F
像什麼時候不好用呀?
03/08 20:28, 6F

03/09 21:39, , 7F
雖然不是很懂,但還是感謝前輩們的分享!
03/09 21:39, 7F

03/09 23:52, , 8F
反過來問 蛇摸時候好用?
03/09 23:52, 8F

03/09 23:53, , 9F
BG出來的只有I*R固定 剩下的? 不知道
03/09 23:53, 9F
文章代碼(AID): #1MtYnxW- (Electronics)
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