[問題] Bootstrap switch動態性能不好

看板Electronics作者 (iGodric)時間10年前 (2015/08/28 21:36), 編輯推噓6(6推 0噓 15→)
留言21則, 9人參與, 最新討論串1/1
各位好： 小弟我在實作10 bits SAR ADC使用90nm製成，動態性能一直很差， 已經有使用數位校正的技術，但性能還是上不去， presim的結果： 100Mhz取樣率，10Mhz輸入頻率，我的ENOB只有 8.6bit; 所以在想是不是Bootstrap Switch的問題，所以對Bootstrap Switch作1024點的FFT，結果如下 取樣率100Mhz 輸入频率 1Mhz下 ENOB=13.057 SFDR=83.33dB 但是换成 輸入频率 10Mhz下 ENOB=10.45 SFDR=69.82dB 是不是這樣的解果會導致我全電路的性能不好？ 那要如何改進？ 謝謝各位 電路圖如下 https://imgur.com/7ZZ3Ucg
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08/28 22:44, , 1F
跑Nyquist input，噴了就表示你AD用這SH會噴
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谢谢你的回答，弱弱的問一下Nyquist input是指取樣率一半
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的輸入頻率嘛？
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影響switch線性度的是Ron，影響Ron的變數是那些?
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如何改善那些變數? 朝這方面下手應該能改善你的問題
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推
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M4 body接錯
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謝謝各位的回應，我會從Ron在想一下，應該是Ron越小，線
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性度越好？
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謝謝owenroy的回答，M4 body不是跟souce端接body effect
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越小？這樣不是比較好嘛？
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推
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推推看m4在圖中的d端的最高電位 在想想MOS的對稱性@@
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推
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n2電位會比vdd高喔
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謝謝各位的回答，那請問這樣的電路性能怎樣算合理？
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看用在哪裡跟負載大小
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推
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做10bit至少12～
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推
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你計算snr取的頻寬是一樣的嗎？
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謝謝各位的回答^^，請問baoerking你說的是什麼意思呢？我
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是在sp檔中下.fft來做運算的
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推
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這個電路只要注意ENOB嘛？ 還是有其他的要注意呢？ 謝謝:
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)
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我是還看THD & SFDR，不知還有沒有其他重點
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