[問題] 直接降頻系統閃爍雜訊
最近在找業界為啥還是會使用直接降頻系統有找到一些解釋:
其中對閃爍雜訊的修正也有找到一些想法
閃爍雜訊(flicker noise),也就是1/f雜訊,為主要的基頻帶雜訊來源,伴隨直流信號路
徑,它的頻譜反應與1/f成正比,在射頻線路中,1/f雜訊通常會調變到射頻信號上,而在
採用基頻帶輸出混波器的情況下,1/f雜訊會有特別高的轉換增益,在實際應用時,閃爍
雜訊對MOS元件的影響高過雙極式元件,通常會以與閘極串連的電壓源來看待。1/f雜訊會
使得在高頻線路部份使用MOS的作法複雜化,原因是要將它在MOS製程中降低的主要方法是
加大電晶體的尺寸,但這樣做則會增加元件的電容值,從而影響到射頻增益,因此,在
DCR混波器設計上比較喜歡採用雙極性電晶體,而在混波器後的第一個基頻帶電路中,由
於在低頻情況下電晶體的體積問題還是可行,因此可以採用MOS元件。
想詢問一下
Q1:1/f雜訊會有特別高的轉換增益是什麼意思???
Q2:DCR混波器設計上比較喜歡採用雙極性電晶體,為什麼會有這種說法,有公式驗證?
謝謝大家!!!
--
※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 218.164.182.153
※ 文章網址: http://www.ptt.cc/bbs/Electronics/M.1405281706.A.AEA.html
推
07/14 08:40, , 1F
07/14 08:40, 1F
→
07/14 08:41, , 2F
07/14 08:41, 2F
→
07/14 11:16, , 3F
07/14 11:16, 3F
討論串 (同標題文章)