Re: [問題] MOSFET切換損問題

看板Electronics作者joy830 (joy)時間12年前 (2013/07/22 23:18)推噓3(3推 0噓 7→)

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: 其中的Qg=300 nC, Qgs=77 nC, Qgd=98 nC : 為什麼Qg≠Qgs+Qgd呢 ? : 如果是用公式 : Psw=Vds*Ids*fs*(Qg.sw)/Ig (假設用來計算切換損的Q為Qg.sw) : 算切換損了話，用哪個Q來計算才對? 這邊有誤切換損的公式很多種沒統一切換損分Ciss和Coss Ciss的電壓是帶Vgs Coss才是Vds 我用的公式是1/3*Vds*Ids*(Tdon+Tdoff)*fs 公式很多種看你看哪個順眼 : 2. : 當在選擇MOSFET的時候這倒是沒注意過一般在算切換損失的時候 Ciss損失遠比Coss損失小很多很少人會注意跟Rg有關吧我想他接面做的越近 Rg越小跨接的寄生電容自然大 : 耐壓越高→MOSFET其閘級電荷量越高 : 耐流越高→MOSFET其閘級電荷量越高耐流 Ids嗎? 那跟Coss Rds有關了 : 價格越便宜→MOSFET其閘級電荷量越高這可能吧製程技術 : 那MOSFET的閘級電荷量是否能用 : MOSFET的閘級電荷量 = k*耐壓^x*耐流^y/價格^z來表示呢? (其中k,x,y,z為常數) : 有其他變數也會影響MOSFET的閘級電荷量嗎? -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 118.233.112.24

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peter921

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joy830

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