Re: [問題] BJT操作問題
看板Electronics作者lnoonl (Life's a Struggle!)時間12年前 (2013/07/02 23:32)推噓2(2推 0噓 0→)留言2則, 2人參與討論串4/4 (看更多)
※ 引述《felix7366 (呵)》之銘言：
: 常常看到書上寫BJT在飽和區時, beta會變小
: 而且Vce大概會固定在0.3~0.4V，Ib會增加，
: 那Ic會如何變化？
當BJT在Active mode操作時，Base-Collector Junction為一個壓控電流源
不考慮early-effect的情況下，只受Base-Emitter電壓控制，呈現正相關
當BJT進入飽和區，Base-Collector Junction進入forward region，
對於Ic來說，產生了一個反向的電流(Ic=Is*exp(vbe/VT)-(Is/alpha_R)*exp(vbe-VT)
所以Ic是會變小的。
: 如果我把Vce撐大到例如3V，然後把Vb拉更高，
: 也就是說Ve=0V, Vc=3V, Vb=5V，這時會發生什麼事？
在你所說的這個偏壓狀況底下
若您的power supply沒有設current limit
基本上你還來不及量測就可以聞到燒焦味了(~煙~)
這時會發生甚麼事? 這時就可以領新料來換了(誤)
考慮基本的二極體特性曲線，當你把Vbe你拉到5V，是power supply和BJT在做PK
比賽會有兩種結果
1.power supply win:
power supply表示：既然你要那麼多電流，那我就噴囉
BJT:好熱...>"<
結果就冒煙燒掉了
機率：99.9%
2.BTJ win:
BJT表示：電流呢! 這個偏壓下我要怒吃很多電流 give me more
power supply：瓏吼哩啦~能給的我都給了...(乾了)
結果電流不夠，無法到達你設定的偏壓→電壓被拉下來
機率：0.1%
話說回來，我猜想你是好奇Vce如果大於一般情況(0.2V)會如何
考慮BJT基本特性，飽和區的定義就是兩個pn介面都導通，
在這個情況下Vce就是兩個導通電壓的差值，基本上差距一定不會太大的
所以應該有你假設的情況發生唷~
獻醜了，有錯請指正~
下台一鞠躬~
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