Fw: [問題] 半導體在高溫工作下

看板Electronics作者woi5566 (我愛伍伍陸陸)時間12年前 (2013/06/13 17:03)推噓2(2推 0噓 5→)

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※ [本文轉錄自 comm_and_RF 看板 #1HkN8ZkT ] 作者: woi5566 (我愛伍伍陸陸) 看板: comm_and_RF 標題: [問題] 半導體在高溫工作下時間: Thu Jun 13 15:17:52 2013 半導体在室溫下，導電性介於導体與絕緣体之間。最常用的半導体物質為鍺(Ge)與矽(Si)。溫度每升高6°C時，矽晶体的導電性即增大一倍。鍺晶体之導電性則為溫度每升高10°C時增大一倍。我的疑問是既然在高溫的狀況下導電性會提升那有沒有可能在高溫的環境之下提升到接近導體或成為導體進而導致整個IC內部的矽晶片上的電路短路呢？謝謝 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 220.129.90.92 ※ 編輯: woi5566 來自: 220.129.90.92 (06/13 15:53)

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所以目前矽晶圓做出來的ic都不適用在高溫環境嗎? 因為ic封裝完成後有些會做可靠度測試之後還要IR Reflow都會經過高達百度以上的高溫那結束這些過程後這些矽晶圓做出來的IC CHIP還能維持原本的半導體特性因為既然過了可靠度測試應該是沒問題問題就是不行在高溫環境下工作吧!? 我有點不解您說的晶格散射效應在溫度高到一定程度會使導電性又降低? 就矽本身的特性不是高溫下導電良好　這樣不就有所衝突嗎﹖ ※ 編輯: woi5566 來自: 220.129.90.92 (06/13 16:58) ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ※ 轉錄者: woi5566 (220.129.90.92), 時間: 06/13/2013 17:03:35

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