Re: [問題] domino style circuit

看板Electronics作者 (litron-intl)時間13年前 (2012/12/30 01:46), 編輯推噓3(309)
留言12則, 4人參與, 最新討論串2/2 (看更多)
※ 引述《thunderguy (then)》之銘言: : http://miupix.cc/pm-495ZXD : 關於照片中的上圖 : 使用weak pmos 對node 上的c 不斷充至Vdd : weak的原因是因為當pdn通時能夠把電位拉至0。 : 不知道我的解讀正確嗎? : 我看不太懂他的敘述, : 謝謝。 請看第二個圖(這是實際設計上會用的電路,第一個電路則否) 這一顆PMOS不只是weak,在正常的設計中,他會選擇minimum size 他的作用是在補償 當PDN"整體來看是不導通的,但是鄰近C的幾個NMOS卻處於導通狀態"的"電荷分享"作用 (charge sharing) 因此,他只須要能使C的電壓在這種狀況不要掉到後面反相器Vih以下就好 在最快速估計上也就是在這種狀況下Vdd - Vtp 且當precharge phase結束後C是處於Vdd附近 也就是說PMOS在此時可以等同Pseudo NMOS logic中的那顆PMOS (面積考量下,minimun area, minimun speed) 此時PDN NMOS的sizing就是要讓"worst case"導通時的Vo會在反相器的Vil以下 在最快速估計上也就是大約Vtn (速度考量下) 此時PDN NMOS的sizing就是要讓"worst case"的t(PHL)要符合你的spec 希望有幫到大家 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 114.36.60.52 ※ 編輯: deathcustom 來自: 114.36.60.52 (12/30 01:48)

12/30 10:17, , 1F
謝謝詳細解說!想問是當pun補償還是pdn補償?
12/30 10:17, 1F

12/30 10:18, , 2F
然後第一個圖之所以不用的原因是啥?因為課本上
12/30 10:18, 2F

12/30 10:19, , 3F
講到缺點@@謝謝!
12/30 10:19, 3F

12/30 10:19, , 4F
沒有講到缺點
12/30 10:19, 4F

12/30 15:52, , 5F
他會有static current(當PDN導通時),而且Vol不會到0
12/30 15:52, 5F
※ 編輯: deathcustom 來自: 114.36.60.52 (12/30 15:53)

12/30 15:53, , 6F
這樣修應該比較不會有疑義
12/30 15:53, 6F

12/30 16:58, , 7F
感謝!學到很多:)
12/30 16:58, 7F

01/01 22:02, , 8F
順便問一下 現在應該大多都用cell-based設計吧,那這
01/01 22:02, 8F

01/01 22:03, , 9F
樣這種circuit出現的機會會多嗎? 一點疑問...thanks
01/01 22:03, 9F

01/01 23:42, , 10F
也是有full custom design啊......
01/01 23:42, 10F

08/13 19:35, , 11F
謝謝詳細解說!想問是當 https://noxiv.com
08/13 19:35, 11F

09/17 23:28, , 12F
順便問一下 現在應該 https://daxiv.com
09/17 23:28, 12F
文章代碼(AID): #1GtooAaH (Electronics)
文章代碼(AID): #1GtooAaH (Electronics)