Re: [問題] 半導體電阻率
※ 引述《AUOleader (卓越)》之銘言：
: 最近有個東西無法解釋 想問問大家
: 為何p-GaAs > p-Si 電阻率比較是GaAs比較大阿
: 另外為何 n-Si > n-GaAs 一樣電阻率為何Si比較大呢
: 另外想問問外面買來的Si wafer doping的濃度都大概多少阿
: 謝嚕
1.你可以翻開任何一本講半導體元件的書，在論及電阻率/移動率章節，裡頭會
一張圖片，上頭標示著在300K下，不同參雜濃度下，Si與GaAs的電阻係數
(縱軸是電阻係數(Ω-cm)，橫軸是雜質濃度(#/cm^3))
茲 取參雜濃度 = 10^16，其中
p-GaAs≒2.1 (Ω-cm)
p-Si ≒1.5 (Ω-cm)
n-Si ≒0.5 (Ω-cm)
n-GaAs≒0.18 (Ω-cm)
至於為何會有這樣的差異呢？
我想，這就是你的作業囉~上述已經提示的很明顯了。 ^^
2.買回來的Si-Wafer濃度，嗯...要看用途...約在10^18~10^14 這範圍內。
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