[問題] diode-connected transistor 的Early eff
以下的電晶體泛指BJT和MOSFET。大家都知道積體電路中的二極體都是將電晶體接成二極
體（diode-connect）。電流鏡中提供參考電流的電晶體都是diode-connected
transistor，現在的問題是：「diode-connected transistor是否有Early effect？」。
因為陳龍英在解和電流鏡相關的問題時偶爾會考慮diode-connected transistor的Early
effect，不管是否最後因為和其他數值比較而被忽略。
我看Smith的書都沒有明確指出，但討論（BJT或MOSFET組成的）電流鏡時，diode
-connected transistor沒有考慮Early effect。
我試著從我已知的半導體元件特性推論，如有錯誤請多指正，也歡迎提出其他不同的意見
。
BJT方面：以npn來說Early effect的產生是在某一個特定的base對emitter電壓（VBE）下
，collector對emitter的電壓（VCE）增加，造成collector對base的逆偏電壓
（reverse-bias voltage）增加，進而造成collector和base間接面空乏區的寬度增加，
base的有效寬度（effective base width）減少。因為Is（scale current）和base的有
效寬度成反比，所以Is增加，造成對一個特定的VBE值所產生的集極電流Ic（collector
current）當操作在主動區（active region）時會隨著VCE的增加而線性增加。但當BJT
被diode-connect時，集極電壓等於基極電壓時，collector對base的逆偏電壓不會增加，
自然就不會有Early effect了。
（也不知道觀念對不對，先寫BJT部分請大家指教，FET部分整理後下次再寫）
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