[問題] Barrier Height

看板Electronics作者 (ooxx)時間14年前 (2011/06/08 16:59), 編輯推噓7(7推 0噓 24→)
留言31則, 6人參與, 最新討論串1/1
最近在學習實做MOS電容 結果量出來的Barrier Height偏高(5.47ev) 比SiO2理論值(3.1ev)高出不少 想請問有什麼是比較可能的原因呢? 感覺版上似乎比較少固態元件方面的討論 是還有別的版嗎@@? 或是版上大大有建議的相關網站or書嗎? 謝謝 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 140.113.89.246
推
06/08 20:14, , 1F
doping用多少啊?
06/08 20:14, 1F
推
06/08 23:07, , 2F
界面態電子有考慮進去嗎?
06/08 23:07, 2F
→
06/08 23:09, , 3F
10 15次方左右 Nsub
06/08 23:09, 3F
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06/08 23:10, , 4F
j大指的是? 我是用F-N Tunneling的式子反推barrier height
06/08 23:10, 4F
推
06/09 00:34, , 5F
你是用TCAD做模擬 還是真的去做一顆出來?
06/09 00:34, 5F
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06/09 00:35, , 6F
J大說的可以考慮一下 如果是模擬的可能是有東西沒開
06/09 00:35, 6F
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06/09 00:35, , 7F
或是有的東西開了 但不切實際 @@
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06/09 00:35, , 8F
FN 如果是模擬的 好像要先設定一下
06/09 00:35, 8F
推
06/09 07:00, , 9F
你是量漏電? 有沒可能做出來的厚度比實際值偏厚?
06/09 07:00, 9F
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06/09 07:01, , 10F
打錯 是比理論值偏厚
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06/09 10:57, , 11F
是真的做一顆出來
06/09 10:57, 11F
※ 編輯: ok456 來自: 140.113.89.246 (06/09 11:02)
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06/09 11:25, , 12F
我是用I-V Curve 去求斜率 用F-N Tunneling的公式反推
06/09 11:25, 12F
推
06/09 12:14, , 13F
固態 就是施敏的 RICHARD MULLER TAur yuan
06/09 12:14, 13F
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06/09 12:14, , 14F
wolf的書你也可以看看 比較講製程
06/09 12:14, 14F
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06/09 12:15, , 15F
說實話實做就幫不上忙了@@"~沒有看到東西很難講~
06/09 12:15, 15F
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06/09 12:15, , 16F
但我以前在做的時候 真的是接面做不好 SURFACE不好
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06/09 12:15, , 17F
出來就亂跳了= =....
06/09 12:15, 17F
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06/09 12:16, , 18F
材料到是還好 你有多試幾個點嗎 有時是機器問題
06/09 12:16, 18F
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06/09 21:07, , 19F
w大 3.1ev＝4.05ev-3.1ev 應該只和Si SiO2電子親和力有關吧?
06/09 21:07, 19F
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06/09 21:08, , 20F
m大　我覺得電性應該就是如此耶..XD 大體上的IV CV還OK
06/09 21:08, 20F
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06/09 21:09, , 21F
只是有些parameter　像barrier height偏高
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06/09 21:09, , 22F
我就不知道怎麼解釋了　如果偏低　還可以說是SiO2品質不好
06/09 21:09, 22F
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06/09 21:10, , 23F
或是有Tuneeling的機制發生
06/09 21:10, 23F
推
06/09 22:46, , 24F
不是吧 你推barrier時不用代電場進去當參數嗎?
06/09 22:46, 24F
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06/09 22:47, , 25F
Oxide厚度偏厚 -> 電場高估 -> barrier高估
06/09 22:47, 25F
推
06/10 09:26, , 26F
FN要在大電場才會發生哦
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06/12 14:07, , 27F
不好意思回晚了
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06/12 14:08, , 28F
w大　您指的是Oxide的厚度測量有誤嗎?
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06/12 14:08, , 29F
n大　3~30 MV/cm等級應該夠吧?
06/12 14:08, 29F
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08/13 19:13, , 30F
我就不知道怎麼解釋了　 https://muxiv.com
08/13 19:13, 30F
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09/17 23:07, , 31F
不是吧 你推barr https://daxiv.com
09/17 23:07, 31F
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