[問題] 關於cic018製程參數
小弟在做專題研究
臨時需要查TSMC 0.18um製成(1.8V)時NMOS及PMOS的Kn(= u * Cox)
但是翻開技術文檔找來找去只有找到IDS這個參數感覺到比較符合
上面寫到:IDS (W/L= 10/0.18, @VD=VG=-1.8V) 178.3 -200.2 -230.7 uA/um
可是與我再讀電子學的Kn單位有點不太相同
因為他的單位竟然是uA/um ?
所以我想請教版上的大大 IDS是甚麼意思?
如果要找Kn要看哪個參數比較正確?
謝謝
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