Re: [問題] diffusion && depletion capacitance

看板Electronics作者 (ddd)時間15年前 (2011/04/04 14:47), 編輯推噓1(1推 0噓 8→)
留言9則, 2人參與, 最新討論串2/3 (看更多)
※ 引述《ok456 (ooxx)》之銘言： : 最近剛好接觸到這個部份 : 看之前的期中考題 : 說""diffusion capacitance 大於 depletion capacitance in forward bias" : 我大概了解兩種寄生電容的計算方式 : 不過不知道如何從式子看出結果 : 還是說 這是實際量測的結果? : 麻煩各位解惑了 : 謝謝大家 看偏壓 (RB/FB) -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 69.244.37.104
推
04/04 15:38, , 1F
喔對 可是diffusion capacitance的式子似乎是 (T/Vt)*I
04/04 15:38, 1F
→
04/04 15:39, , 2F
T是mean transit time
04/04 15:39, 2F
→
04/04 15:41, , 3F
junction capacitance是 Cj0/(1+VR/V0)m次方 在reverse bias
04/04 15:41, 3F
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04/04 15:42, , 4F
V0是built in potential m是一個constant
04/04 15:42, 4F
→
04/04 15:42, , 5F
forward bias時 是估大約2Cj0
04/04 15:42, 5F
→
04/04 15:43, , 6F
以上是我從smith 3.7整理出來的
04/04 15:43, 6F
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04/04 15:43, , 7F
在forward bias是 似乎無法定量的從這些式子看出
04/04 15:43, 7F
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04/04 15:44, , 8F
diffusion capacitance較大?? 還是我有地方弄錯了? 謝謝您
04/04 15:44, 8F
→
04/04 17:37, , 9F
基本觀念可能要在review一下下 :D
04/04 17:37, 9F
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