Re: [問題] 半導體工程
※ 引述《gauss760220 (章魚)》之銘言：
: 1.請說明積體電路(IC)製程中"60奈米"製程代表何種意義?是指何種元件之那一部份
: 之尺寸?
: [想法]:意義我不太知道(請高手指點) 但後者應該是指"MOS"的"channel length"吧?
我們常說的90/65/45/32奈米製程，這些指的是製程世代/節點
(technology generation/node。)
a.對邏輯產品而言，指的是電路佈局上MOS的閘極寬度(gate length)
b.對DRAM產品而言，指的是二分之一的pitch (spacing + width)
c.對Flash產品而言，指的是相鄰兩個浮動閘極(floating gate)的距離
一般而言，比較傾向是a的說法。其他可以知道，但請記得記憶體與邏輯產品還是有
不同的地方。
: 2.於室溫時,一個理想二極體有一短路電流3安培,開路電壓0.6伏特:
: (一)計算並繪出以電壓為函數之輸出功率圖
: (二)計算填滿因子(Fill Factor)
: [想法]:第一小題不會 但第二小題的FF=Pmax/IscVoc 沒有Pmax要如何求FF?
靠!這題我居然不會....T_T....是solar cell相關的東西嗎?
: 3.請寫出載子遷移率(mobility)和載子平均移動速度的關係式,並解釋為什麼電場很強時
: ,載子遷移率會降低
: [想法]:第一小題應該是v=uE(u表示遷移率) 第二小題如果解釋為電場很強時 載子受到
: 晶格碰撞的機會會提高 所以遷移率會下降 不知是否有誤?
: 請高手給予指教 謝謝
→ →
ν = μx E，其中ν與E都是向量。
你的說法應該是溫度升高，晶格中的原子碰撞會更明顯，所以μ會降低。
這並非是正確答案。
首先我們先看看下面電場與移動速度的圖。
ν
│ D
│ __C___／
│ ╱
│ ／ B
│╱ A
└──────────E
在區域A，載子的平均移動速度與電場E是線性關係。
在區域B(有點弧度，但我畫不出來)部份電場激發晶體內的光聲子(optical phonon)
而損失電場能量，因此速度有減緩的趨勢。
在區域C，電場持續增加，幾乎所有的能量都在激發光聲子，這會導致遷移率的下降以至
漂移速度的飽和；
在區域D，能量足夠高的載子甚至會引起所謂轉移電子效應（transferred electron
effect）與各種類型的碰撞電離，如半導體中的雪崩崩潰(avalanche breakdown)
附上教科書上的IEEE論文出處:
Reference:
"Carrier mobilities in silicon empirically related to doping and field"
Caughey, D.M.; Thomas, R.E.; Proceedings of the IEEE Volume: 55
On page(s): 2192 - 2193
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在臺灣，何謂R&D工程師?
1.Reverse and Decap :IC反相工程，去膠，打開封裝，拍照，複製電路佈局。
2.Resign and Die :沒死的就操到辭職，沒辭職的就操到死。
3.Rework and Debug :計畫永遠跟不上變化，變化永遠跟不上老闆的一句話!
4.Relax and Delay :太過於輕鬆(Relax)，那麼就會Random Death (隨時陣亡)
但是外派到大陸的臺灣郎，晚上是R (鴨)陪客戶，白天是D (豬)任人宰割!
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※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc)
◆ From: 203.66.222.12
推
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