[問題] DRAM製程和邏輯IC的困難點差在哪

看板Electronics作者 (庫魯斯湯姆)時間13年前 (2011/03/02 00:24), 編輯推噓3(3推 0噓 4→)
留言7則, 4人參與, 最新討論串1/2 (看更多)
抱歉 想請教大家 DRAM的製程和邏輯IC(也就是台積電所代工的)的各自的製程困難點為何? 我的認知是DRAM每個MOSFET都要接一個電容 所以DRAM的更細微影製程還要考慮電容? 只是我不太了解的是都有MOSFET 為什麼台積電的微影製程可以走在前端 可是台灣的DRAM廠卻落後韓國一個世代 是否DRAM和一般台積電所代工的IC的各自製程著重點不同? 謝謝大家 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 111.235.208.181
推
03/02 08:03, , 1F
DRAM => cost 邏輯==>（目前）variation
03/02 08:03, 1F
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03/02 10:30, , 2F
樓上點出讓人心酸的秘密....
03/02 10:30, 2F
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03/02 19:34, , 3F
可是大家的微影不是都是針對MOSFET嗎?
03/02 19:34, 3F
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03/03 00:57, , 4F
都是對mosfet做更細微的微影 為什麼dram製程輸韓國
03/03 00:57, 4F
推
03/03 01:41, , 5F
1F...
03/03 01:41, 5F
推
03/03 22:27, , 6F
DRAM絕對不是MOSFET DRAM裡面的MOSFET非常的差..
03/03 22:27, 6F
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03/03 22:28, , 7F
而且只有兩或三層metal 一切就是為了cost
03/03 22:28, 7F
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文章代碼(AID): #1DRHsa_u (Electronics)
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