[請益] poly電阻疑問

看板Electronics作者divhexa (迎風)時間15年前 (2011/01/08 02:19)推噓0(0推 0噓 7→)

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最近剛接觸TSMC 0.18um製程，對於其中poly電阻的部分有點疑問由於我想使用poly電阻作為resistive load 因此希望電阻變異的值越小越好查過TSMC.18um製程manual 發現n+ poly w/o silicide的片電阻變異量最小，約正負10% 而p+ poly w/o silicide片電阻變異量稍微比前者大一點，約正負14% 但是之前有在國外討論區看過一些討論串，是說p+ poly電阻match得較好因此我有兩個問題： 1. 請問所謂 "p+ poly電阻match得較好" 是指兩個電阻間的比例是否match嗎？ 2. 如果我想得到較精準的電阻值，是應該選用n+ poly w/o silicide嗎？希望有人能解答一下謝謝 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 114.37.130.151

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