Re: [問題] hspice量MOSFET的電壓電流特性

看板Electronics作者 (阿熊)時間15年前 (2010/10/22 14:48), 編輯推噓0(000)
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※ 引述《opq77114 (歐匹哭)》之銘言: : 一顆NMOS : Mn d g gnd! gnd! W=1u L=1u Mn d g gnd! gnd! nch W=1u L=1u 假設 NMOS 的 model name 叫 nch : 在drain端施以不同的電壓 : Vdn d gnd! Vdn d gnd! dc=0 Vgn g gnd! dc=3 $ for example g 端記得給偏壓。這邊以偏壓 3V DC 舉例。 : .Dc Vdn 0 1.8 0.05 (這句對) 再加上以下這兩句 .option post probe .probe I(Mn) $ Measure Id of Mn 打完收工 ╭(′▽`)╯ : 想要得到不同的drain端電壓對應的Id電流該怎麼做 : 查了一下manual 好像可以用.measure來量測 : 但是他的範例都是針對tran 所以不曉得怎麼針對DC sweep量測 : 麻煩各位前輩指導一下 謝謝 -- ╭───── ╱╲ ▁▁ ╱╲ ───────────────────╮ |: │ ◢◣ │ __ __ :| | : ╱ ╱ | : _ | |: ◣ ◢◣ ◢ : | : |  ̄ _ : :| ""  ̄ ̄ ╰────── ( ▆▆ ) ───────────────────╯ -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 122.116.231.229
文章代碼(AID): #1CmJEdym (Electronics)
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