[問題] HSPICE 如何改善反應時間

看板Electronics作者xxxorc (hghg)時間15年前 (2010/05/31 21:55)推噓2(2推 0噓 5→)

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這是我的程式想請問大家有什麼地方可以修改讓反應時間更快 ******** NAND *********** ********PMOSFET W:0.80 L:0.18*********** ********NMOSFET W:0.40 L:0.18*********** .lib 'C:\synopsys\sample\mm018.l' TT ********** Parameters ************ .global Vdd Vss 0 .param vdd=1.8 .param vss=0 .param lambda=0.09u .param def_w='4.45*lambda' .param def_l='2*lambda' .param loadce=100f .param ratio=2 ********** Devices and sub-circuits ************ .subckt NTRAN d g s b wn='def_w' ln='def_l' m1 d g s b nch w='wn' l='ln' .ends .subckt PTRAN d g s b wp='def_w' lp='def_l' m2 d g s b pch w='wp' l='lp' .ends ************************************************** x1 out in2 node 0 NTRAN w=wn l=ln x2 out in2 vdd vdd PTRAN w=2wp l=lp x3 node in1 0 0 NTRAN w=wn l=ln x4 out in1 vdd vdd PTRAN w=2wp l=lp VIN1 in1 0 pulse 0.1 2 2n 0 0 5n 10n VIN2 in2 0 pulse 2 0.1 2n 0 0 1n 2n VDD vdd 0 1.8v .ic (vin)=0 .options post=2 nomod .op .tran 0.1n 20ns .print tran v(in) v(out) .end -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 220.143.157.206

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rxjtg

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推

ryanchen

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