Re: [問題] 半導體
※ 引述《h816090 (～Argon～)》之銘言：
: 有三個關於半導體的問題想要請教一下
: 1. 拿pn junction去做solar cell，照光去打~產生電子電洞對
: 拉出來產生電流
: 那如果加熱~溫度很高~一樣會產生電子電洞對~為什麼量不到電流呢?
: 都有pn junction~為什麼加熱這個方法卻行不通呢?
solar cell是由於入射光的頻率不同(光子)去產生的光伏效應，不是因為溫度升高，
而產生電子電洞對的緣故。
另外，當你加熱時，溫度越高，PN接面的晶格振動愈強，因此載子的遷移率會降低，
當然就沒有電流可言。
以上只是略述，細節請參考電子學或是固態物理中的PN接面的章節。
: 2. 不管是蒸鍍鋁或是e-gun鍍金或銀
: 為什麼看的是融點~而不是沸點呢? 不是要使金屬揮發成氣體~在去鍍嗎?
: 怎麼大家都是在談融點呢?><"
所謂的蒸鍍，是藉著對被蒸鍍物體加熱，利用被蒸鍍物在接近熔點時的高溫所具備的
飽和蒸氣壓，此時，原本處於固態的蒸鍍源的蒸發能力將非常強，利用這些被蒸發出來
的蒸鍍源原子，我們可以在離蒸鍍源上方不遠處的晶片表面上，進行薄膜的沉積。
所以我們只考慮被蒸鍍物的熔點，而非沸點。
以上只是略述，細節請參考蒸鍍原理。
: 3. 在蝕刻時~(111)面速度比(110)面慢~可是為什麼面原子密度卻是
: (110)面比較大呢?~照理說面原子密度大的~蝕刻速度慢~這點沒錯吧?><"
: 算原子密度不是正好可以去判斷蝕刻時的快慢嗎? 謝謝
這跟原子密度是無關的。我想你應該知道等向性蝕刻與非等向性蝕刻吧?!
利用矽結晶面造成的蝕刻速度差異，可製作出不同的溝槽。
我們先就矽的結晶來說明(111)與(110)或是(100)蝕刻速率不同的原因
矽的結晶是呈金剛石狀的結構，內部的矽原子以4條化學鍵的方式形成共價鍵。
而在表面的矽原子，其結合方式隨結晶面的不同而各異。
例如，在（100）面上，4條共價鍵中，2條斷開，2條相連。
(111) 面上，3條共價鍵連接，只有1條斷開。
因此，（111）面比（100）面更難進行蝕刻（蝕刻速度較慢）。
以上的問題，建議原po可以去找更深入的書來看。
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在臺灣，何謂R&D工程師?
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但是外派到大陸的臺彎郎，晚上是R (鴨)陪客戶，白天是D (豬)任人宰割!
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※ 編輯: jfsu 來自: 61.64.224.203 (04/09 01:31)
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04/09 21:12, , 1F
04/09 21:12, 1F
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