Re: [問題] MOSFET High Frequency的Cgs和Cgd
※ 引述《kameng (kameng)》之銘言：
: 最近讀到Smith的電子學
: 裡邊MOSFET的High Frequency Model
: 有提到在Saturation Mode的Cgs=2WLCox/3, Cgd=0
: 但卻沒有說明這兩個式子怎麼來的
: 想問一下各位
: 有甚麼有關的書籍或論文有說明到這些電容值是怎麼求出來的嗎
: 謝謝
MOS總電容在考慮操作範圍時可以簡化為
Cg = Cgb + Cgs + Cgd
Cgb :gate to bulk capacitance
Cgs,Cgd :gate to channel capacitance (which are lamped at soirce and drain
region of channel)
依你的問題，在飽和區(Saturation Mode, Vgs - Vt < Vds)操作時，
通道為強反轉，汲極區(Drain region)為夾止狀態(pinch-off)，所以Cgd = 0
Cgs呢？推文的p大已經給你答案了，不過，該章節也是參考底下這本書
(推導的成過程有點煩雜+噁心，簡化的部份則是用泰勒展開式...。)
書名：Device Electronics for Integrated Circuits
版本：3rd
作者：Richard S. Muller, Theodore I. Kamins,
出版社：John Wiley & Sons, 出版日期：1986-01-01
ISBN：0471887587
推導的成過程有點煩雜，簡化的部份可用泰勒展開式...。
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