Re: [請益] 非對稱MOS的使用

看板Electronics作者 (好酷捏~)時間16年前 (2009/10/07 11:51), 編輯推噓0(000)
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※ 引述《Chanchuan (生活要多點變化)》之銘言: : 最近有看到一些電路是使用非對稱MOS : 有點搞不太懂跟HV MOS的差別 : 非對稱在結構上跟HV有什麼顯著的不同 : 就電路而言, 是何時要使用非對稱 : 使用非對稱又有何優缺點 : 知道的高手解釋一下吧 : 謝謝 你講的對稱 非對稱應該都是HV MOS吧 一般來講高壓應該是用非對稱MOS居多, 主要是layout SIZE比對稱來的小,省面積 通常電路使用上非對稱的source-body都會接在一塊,等電位 會用到對稱主要是因為 MOS的 source-body可能會見到高壓的考量 另外就是driving能力的差別.對稱的Vth一般會較非對稱低 至於結構上的差別,如其名.. 非對稱就是drain和gate間加了lightly doping來降低電場 (LDD or DDD...) 對稱就是source 和 drain都加了.. 找個高壓的design rule應該都會有剖面圖可以參考 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 60.250.189.130
文章代碼(AID): #1Ap10_B_ (Electronics)
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