Re: [問題] 電容的飄移?
※ 引述《sux0116 (NCTU EE)》之銘言:
: ※ [本文轉錄自 comm_and_RF 看板]
: 作者: sux0116 (NCTU EE) 看板: comm_and_RF
: 標題: [問題] 電容的飄移?
: 時間: Thu Jun 18 16:27:58 2009
: 請問各位大哥大姐
: 如果電容兩端直流偏壓固定
: 隨著頻率的改變
: 電容是不是也是會跟著頻率飄移
: 小弟的做s參數模擬觀察
: 容值好像會隨著頻率增加而增加
: 請問這是正常的嗎?
: 這個現象該用甚麼原理解釋呢?
: 感謝!
應該要說的是容抗,不是電容值。
簡而言之,在諧振點之前,電容隨頻率的增加而減小;
在諧振點之後,電容隨頻率的增加而增加。
容抗與頻率是曲線關係。這個在數學上也很簡單,
把電容的容抗等效成:寄生電阻+寄生電感+電容,Z = ESR+jwL-j/wC。
其中ESR = Equivalent Series Resistance
低頻範圍內,電容呈現容抗特性;
中頻範圍內,主要是ESR特性;
高頻範圍內,以感抗為主。
會有這樣的特性,起因於不可避免的寄生電感和寄生電容效應。
由公式得知,隨著頻率的提高,電容的電抗值將越來越接近0,而寄生電感的電抗值卻
逐漸增大,最後超過電容的電抗而使整個器件表現為電感性。
容量越大的電容,其高頻電抗值越接近0,就越容易被本身的寄生電感所超越。
同理,電感在高頻也可能表現為電容性,而且越大的電感越容易發生這樣的事情。
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