Re: [問題] 關於製程的問題

看板Electronics作者 (die)時間16年前 (2009/04/30 01:25), 編輯推噓6(600)
留言6則, 4人參與, 最新討論串2/2 (看更多)
※ 引述《wwwok (勇敢的堅持下去)》之銘言: : 希望這個問題不要太蠢 : 想請問一下板上各位大大 : 以TSMC所提供的製程來說 : 0.35和0.18兩者差在哪裡? : 當然 在相同的面積0.18可以做下更多的電晶體 : 我比較想要知道 這對電路來說 有啥比較大著助益嗎 : 例如設計放大器好了 更小的製程會使op獲得更高的增益或是相位嗎? : 那假設我在0.35和0.18的製程底下都採用相同的W/L去設計op : 這樣做出來的op會有差別嗎? : 謝謝各位囉~~ 0.35um與0.18um真的有差別是在於邏輯產品的部份,雖然成本增加,但因良率提升 所賺得到錢是遠大於成本。 類比部份,由於尺寸縮小,PMOS與NMOS的gm,Idsat與Vth可能會有變化, 在設計時,更要注意W/L的選用,不建議用跟0.35um一樣的長寬。 另外,op內部的那幾顆電晶體更需要注意matching的問題。 0.35um的製程或許不用考慮,但0.18um最好留心一下, 1.周圍加一下dummy電晶體,避免因製程因素讓特性(performance)變差。 2.layout在畫的時候,MOS不要太靠近well,以免有WPE(well proximity effect)效應, 也要注意一下LOD(length of diffusion) 其他電容或電阻的部份,阻值與容值最好重新計算過一遍,會比較保險。 power bus也是一樣不要隨便拉一拉,該粗的地方就不要細,該打contact/VIA的部份 就不要省。 -- 對流血一週仍然不死的生物千萬不能大意……。 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 61.64.148.89

04/30 05:07, , 1F
很實用...推薦!
04/30 05:07, 1F

04/30 06:03, , 2F
.35的Rout是不是大很多 我意思是說要把FET弄成電阻
04/30 06:03, 2F

04/30 06:06, , 3F
我跑一下看在同樣L跟電流下的Rout再跟你們說吧
04/30 06:06, 3F

04/30 06:07, , 4F
剛好手邊有.35 .18 .13 .09的製程檔QQ
04/30 06:07, 4F

04/30 08:15, , 5F
我之前好像有比過.5和.18的 好像是weak inversion resistor
04/30 08:15, 5F

04/30 10:44, , 6F
多謝各位提供的資料和意見 謝謝大家
04/30 10:44, 6F
文章代碼(AID): #19-8sMOi (Electronics)
討論串 (同標題文章)
文章代碼(AID): #19-8sMOi (Electronics)