Re: [問題] Buck電路
※ 引述《yourhusband (悶)》之銘言：
: ※ 引述《twyesman (加持良治)》之銘言：
: : 請問除了layout外,還有什麼方法可以降低產生的雜訊呢
: 我想你首先要先分清楚你說的雜訊是哪邊的雜訊
: 如果是因為開關硬切產生的Vds震盪，導致Vgs有小突波
: 那加snubber才可能有一點用途
: : 震盪會因為雜訊產生諧振,變成輸出不穩定
: 我想你輸出電壓穩不穩定是跟你回授補償器的設計比較有關係
: : RCD電路不曉得是不是我電阻電容值選錯
: : 好像沒什麼效果,請問這有選擇的公式嗎
: 這書上都有，請自行參閱。
: : (輸出24V/1A)
: 不知道閣下的開關操作頻率是多少kHz?
: : mosfet的D-S加小電容,會造成無效損耗
: : mosfe發燙
: 事實上這個觀念有問題，事實上如果Mos的Coss小
: 在以Buck為例，Mos turn off的瞬間(先不考慮飛輪二極體的非理想特性)
: Coss上跨壓立刻會由0轉為Vin，事實上這種突發電壓將會與線路的漏電桿與Coss共振
: 這才是Vds會有spike的原因，固事實上Coss大一點是會讓你的Mos截止損失減少
: 最理想的開關狀態為 ZVS turn on，而turn off則希望Vds建立電壓緩慢
: 但是相對於Mos的turn導通損耗則會增加，因為增加額外的電容放電電流
: 但對於半導體材料而言，這增加的放電電流不要超過額定耐流就可以了
: Rds on的值通常都很小，不大會有多大損耗
: 真正造成損失的大半都是switching loss
: : IC直接控制mosfet G閘不會有這種溫度上升的情況
: : 但是會有諧振的問題..控制變不確實
: : Rg電阻加大降低Td,效果不錯
: : 還不至於燙,不過mosfet溫度也是會上升
: 看你這樣描述應該就是硬切，Rg加大會讓你驅動Mos電流變小
: 相對米勒平台的長度也會變寬，增加更多switch turn on loss
: 當然MOS會更熱
: : 請問這是必要的損耗嗎?
: 基本上如果你做Buck開關的Vgs應該會與你控制IC做一隔離
: 所以你要說Layout問題我絕得先不應該去考慮開關與控制訊號的連接上
: 應該是你整個主電路的地迴路以及回授跑線的問題(關鍵在於你說輸出電壓不穩)
我猜是之前的layout我沒注意到EMI影響
Buck電流迴路的地有經過IC底下造成的@_@
請問接地Layout走線如果這樣做切割
會不會比較好
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| BucK |
------------| 電路 |
@輸入接地點 |______|
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|-----------
|
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| 控制 |
------------| 電路 |
|______|
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※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc)
◆ From: 125.229.81.201
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01/14 22:35, , 1F
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