[問題] 請問MOS數位邏輯電路的問題

看板Electronics作者 (Shiva)時間17年前 (2008/11/15 15:36), 編輯推噓0(0推 0噓 0→)
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smith電子學10.3節的判斷方法應該是只適用於PMOS的Source接1，NMOS的Source接0吧？ 用duality特性來設計很快 但如果不是那樣的情況(ex.下面的圖)，而是PUN和PDN無duality特性 這樣是不是應該用真值表來看呢？ 下面三個example，麻煩大家幫我看一下推論有沒有錯 還有高阻抗態該怎麼表示呢？ 感謝! ex. 1 │ │─ A ─○││ │─ │ │── Y │ │─ B ─││ │─ │ 0 當A:0 B:0 → PMOS on , NMOS off → Y 充電到1 1 1 off on Y 放電到0 0 1 on on 要看kp和kn的大小來判斷Y是充電或放電 1 0 off off Y 是高阻抗態 假設kn>kp，所以A:0 B:1 時 Y放電到0 由卡諾圖： ───── │B\A│0│1│ 請問高阻抗態時要怎麼在圖上列？ ───── Y的式子要如何寫呢？ │0 │1│?│ ───── │1 │0│0│ ───── ex. 0 │ │─ A ─○││ │─ │ │── Y │ │─ B ─││ │─ │ 1 當A:0 B:0 → PMOS on , NMOS off → Y 放電到0 (MOS的Drain和Source可以互換) 1 1 off on Y 充電到1 (MOS的Drain和Source可以互換) 0 1 on on 要看kp和kn的大小來判斷Y是充電或放電 1 0 off off Y 是高阻抗態 假設kn>kp，所以A:0 B:1 時 Y充電到1 ───── │B\A│0│1│ 同上面的問題 ───── 請問高阻抗態時要怎麼在圖上列？ │0 │0│?│ Y的式子要如何寫呢？ ───── │1 │1│1│ ───── ex. B' │ │─ A ─○││ │─ │ │── Y │ │─ B ─││ │─ │ A' 當A:0 B:0 → PMOS on , NMOS off → Y 充電到1 1 1 off on Y 放電到0 0 1 on on 要看kp和kn的大小來判斷Y是充電或放電 1 0 off off Y 是高阻抗態 假設kn>kp，所以A:0 B:1 時 Y充電到1 ───── │B\A│0│1│ 同樣的問題 ───── 請問高阻抗態時要怎麼在圖上列？ │0 │1│?│ Y的式子要如何寫呢？ ───── │1 │1│0│ ───── 最後還有個問題就是.. 我看94年中興電機考的一個題目 考古題解答寫了一個化簡 C │ │─ C A ─○││ kp │ │─ │─ │ → A+B ─○││ kp/2 │ │─ │─ │ B ─○││ kp Y │─ │ Y Y │ ──── Y │ │ │ │─ ─│ │─ A ─││ kn kn ││─B → A+B ─││ 2kn │─ ─│ │─ │ │ │ ──── D │ D 請問為什麼可以這樣化簡呢？ 那是不是可以推廣成以下： C │ │─ C A ─││ kn │ │─ │─ │ → A*B ─○││ kn/2 │ │─ │─ │ B ─││ kn Y │─ │ Y Y │ ──── Y │ │ │ │─ ─│ │─ A ─○││ kp kp │○│─B → A*B ─○││ 2kp │─ ─│ │─ │ │ │ ──── D │ D -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 203.67.44.108
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