Re: [問題] 半導體摻雜
看板Electronics作者weichingman (改變，要從心開始。。。)時間17年前 (2008/05/02 18:52)推噓1(1推 0噓 0→)留言1則, 1人參與討論串2/2 (看更多)
※ 引述《armoni (聊天打屁看電影)》之銘言：
: 可請問一下各位嗎?
: 問題一:
: 為什麼當我們在摻雜同族的元素n-type(或者p-type)的離子긊: 摻雜"越重元素(週期表越下面的)的阻值"會比"較輕的元素(週期表較上面的)"比較高呢?
: 是跟元素的重量有關嗎?
: 問題二:
: 如果是跟元素的重量有關? 但在傳導過的過程中 不是靠電子在傳導嗎?
: 為什麼會跟元素(或者說離子)有關呢
: 可否幫我解惑一下呢?
: 謝謝
觀念可能要先釐清一下，建議你去翻閱元件物理的書籍
傳導的過程中，並不是只靠電子在傳導！而要看你是n-type or p-type
而電子或電洞在傳導的過程中，最主要受到兩個散射機制所影響
晶格散射與雜質散射(還有其他散射，暫不提)
原po提到的問題與雜質散射有關!
這邊引用施敏的書籍作解釋
"雜質散射為當一個帶電載子行經一個游離的摻質雜質(施體或受體)時所引起的。
由於庫侖力的交互作用，帶電載子的路徑會因此受到偏移"
這邊就可以知道....元素的重量會影響其庫侖力...進而影響載子的遷移率
所以阻值會比較高！
不過大部分都是探討摻雜載子的濃度與環境溫度對遷移率的變化
要更詳細的說明，可能就麻煩原po翻書參考 ^^"
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※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc)
◆ From: 140.120.32.151
推
05/02 20:22, , 1F
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