[請益] 晶圓製程

看板Electronics作者shimizu (清水)時間16年前 (2008/01/16 23:45)推噓1(1推 0噓 3→)

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請問晶圓製程的前段有一段流程是: 晶圓和光罩對正→微影→蝕刻→氧化→擴散→CVD→離子植入→濺鍍(Sputtering) <--------重複做4～5次---------------> 因為我看的資料和書有點差異不知道正確的程序是怎樣我上面的流程哪裡有出錯嗎?? 有的書是"擴散"到"離子植入"是重複做有的資料是從一開始"光罩對正"到"離子植入"重複做能否請教正確步驟是如何?? 還有請問"矽磊晶成長(epitaxial growth)"就是長"磊晶膜(epitaxial layer)" 是用在哪一步驟?? 謝謝 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 220.142.155.92

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